Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS»
Квантові точки (КТ) на сьогодні є об’єктами інтенсивних досліджень багатьох наукових груп. КТ напівпровідникових сполук A²B⁶ привертають особливу увагу завдяки можливості управляти розмірами КТ в процесі їх синтезу, що дає можливість отримати необхідні електронні і оптичні властивості.Успішне виріше...
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2018
|
Назва видання: | Журнал физики и инженерии поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168188 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» / С.Д. Бардашевська, І.М. Будзуляк, Б.І. Рачій, С.І. Будзуляк // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 37-45. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-168188 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1681882020-04-25T01:25:34Z Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» Бардашевська, С.Д. Будзуляк, І.М. Рачій, Б.І. Будзуляк, С.І. Квантові точки (КТ) на сьогодні є об’єктами інтенсивних досліджень багатьох наукових груп. КТ напівпровідникових сполук A²B⁶ привертають особливу увагу завдяки можливості управляти розмірами КТ в процесі їх синтезу, що дає можливість отримати необхідні електронні і оптичні властивості.Успішне вирішення проблеми отримання КТ напівпровідникових матеріалів з відповідними контрольованими властивостями в значній мірі залежить від вибору середовища, в якому реалізується їх синтез. Інкапсуляція наночастинок або введення їх у хімічно інертну матрицю дає можливість не тільки ізолювати КТ від хімічно активного середовища, а й отримати систему наночастинок з певними заданими розмірами (розмірами пор матриці). Саме тому, перспективним матеріалом матриці є нанопористий вуглецевий матеріал (НВМ), який є хімічно інертним для більшості лугів і кислот, і в якому можна отримувати необхідні розміри пор для впровадження КТ. Квантовые точки (КТ) на сегодня являются объектами интенсивных исследований многих научных групп. КТ полупроводниковых соединений A²B⁶ привлекают особое внимание благодаря возможности управлять размерами КТ в процессе их синтеза, дает возможность получить необходимые электронные и оптические свойства. Успешное решение проблемы получения КТ полупроводниковых материалов с соответствующими контролируемыми свойствами в значительной степени зависит от выбора среды, в которой реализуется их синтез. Инкапсуляция наночастиц или введение их в химически инертную матрицу дает возможность не только изолировать КТ от химически активной среды, но и получить систему наночастиц с определенными заданными размерами (размерами пор матрицы). Именно поэтому, перспективным материалом матрицы является нанопористый углеродный материал (НУМ), который является химически инертным для большинства щелочей и кислот, и в котором можно получать необходимые размеры пор для внедрения КТ. Quantum dots (QDs) today are the objects of intense research of many scientific groups. QDs semiconductor compounds A²B⁶ attract special attention due to the ability to control the size of QDs in the process of their synthesis, which gives the opportunity to obtain the necessary electronic and optical properties. Successful solution to the problem of obtaining QDs semiconductor materials with appropriate controllable properties largely depends on the choice of environment in which their synthesis is realized. Encapsulation of nanoparticles or introducing them into a chemically inert matrix makes it possible not only to isolate QDs from a chemically active medium, but also to obtain a system of nanoparticles with certain given sizes (pore size matrices). For this reason, the promising material of the matrix is a nanoporous carbon material (NCM) that is chemically inert to most alkalis and acids, and in which it is possible to obtain the required pore sizes for the introduction of QDs. 2018 Article Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» / С.Д. Бардашевська, І.М. Будзуляк, Б.І. Рачій, С.І. Будзуляк // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 37-45. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 2519-2485 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168188 536.2, 538.9, 53.06 uk Журнал физики и инженерии поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Ukrainian |
description |
Квантові точки (КТ) на сьогодні є об’єктами інтенсивних досліджень багатьох наукових груп. КТ напівпровідникових сполук A²B⁶ привертають особливу увагу завдяки можливості управляти розмірами КТ в процесі їх синтезу, що дає можливість отримати необхідні електронні і оптичні властивості.Успішне вирішення проблеми отримання КТ напівпровідникових матеріалів з відповідними контрольованими властивостями в значній мірі залежить від вибору середовища, в якому реалізується їх синтез. Інкапсуляція наночастинок або введення їх у хімічно інертну матрицю дає можливість не тільки ізолювати КТ від хімічно активного середовища, а й отримати систему наночастинок з певними заданими розмірами (розмірами пор матриці). Саме тому, перспективним матеріалом матриці є нанопористий вуглецевий матеріал (НВМ), який є хімічно інертним для більшості лугів і кислот, і в якому можна отримувати необхідні розміри пор для впровадження КТ. |
format |
Article |
author |
Бардашевська, С.Д. Будзуляк, І.М. Рачій, Б.І. Будзуляк, С.І. |
spellingShingle |
Бардашевська, С.Д. Будзуляк, І.М. Рачій, Б.І. Будзуляк, С.І. Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» Журнал физики и инженерии поверхности |
author_facet |
Бардашевська, С.Д. Будзуляк, І.М. Рачій, Б.І. Будзуляк, С.І. |
author_sort |
Бардашевська, С.Д. |
title |
Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» |
title_short |
Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» |
title_full |
Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» |
title_fullStr |
Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» |
title_full_unstemmed |
Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» |
title_sort |
отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки cds» |
publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
publishDate |
2018 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168188 |
citation_txt |
Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» / С.Д. Бардашевська, І.М. Будзуляк, Б.І. Рачій, С.І. Будзуляк // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 37-45. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
series |
Журнал физики и инженерии поверхности |
work_keys_str_mv |
AT bardaševsʹkasd otrimannâtavlastivostísisteminanoporistijvuglecevijmateríalkvantovítočkicds AT budzulâkím otrimannâtavlastivostísisteminanoporistijvuglecevijmateríalkvantovítočkicds AT račíjbí otrimannâtavlastivostísisteminanoporistijvuglecevijmateríalkvantovítočkicds AT budzulâksí otrimannâtavlastivostísisteminanoporistijvuglecevijmateríalkvantovítočkicds |
first_indexed |
2023-10-18T22:22:23Z |
last_indexed |
2023-10-18T22:22:23Z |
_version_ |
1796155344823517184 |