Применение поликристаллических диффузионных барьеров

Применение поликристаллических диффузионных барьеров

Деградация контактов электронной аппаратуры при повышенных температурах связана с активным диффузионным перераспределением компонентов контактно-металлизационной системы (КМС) и фазообразованием на межфазных границах. Одной из систем диффузионных барьеров (ДБ) являются поликристаллические силицидные...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Цымбал, В.А., Колупаев, И.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
Теми:
Применение ускорителей
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17043
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Применение поликристаллических диффузионных барьеров / В.А. Цымбал, И.Н. Колупаев // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 3. — С. 184-187. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-17043
record_format dspace
spelling irk-123456789-170432011-02-19T12:03:52Z Применение поликристаллических диффузионных барьеров Цымбал, В.А. Колупаев, И.Н. Применение ускорителей Деградация контактов электронной аппаратуры при повышенных температурах связана с активным диффузионным перераспределением компонентов контактно-металлизационной системы (КМС) и фазообразованием на межфазных границах. Одной из систем диффузионных барьеров (ДБ) являются поликристаллические силицидные пленки, в частности, силициды титана. Получение дисилицидов титана (TiSi2), которые по своим параметрам востребованы для условий микроэлектроники из известных силицидов системы Ti-Si, возможно как в результате прямой реакции пленки титана и подложки кремния, так и при осаждении слоя Ti-Si требуемого стехиометрического состава. В статье сделан анализ диффузионной проницаемости поликристаллического и полифазного ДБ и сделаны рекомендации для практических методов повышения блокирующих свойств поликристаллических диффузионных барьеров (ПДБ). Деградація контактів електронної апаратури при підвищених температурах пов'язана з активним дифузійним перерозподілом компонентів контактно-металізаційної системи (КМС) і фазоутворення на міжфазних межах. Однією з систем дифузійних бар'єрів (ДБ) є полікристалічні силіцидні плівки, як то силіциди титану. Отримання дісиліцидів титану (TiSi), який за своїми параметрами затребуваний для умов мікроелектроніки з відомих силіцидів системи Ti-Si, можливо як в результаті прямої реакції плівки титану і підкладки кремнію, так і при осадженні шару Ti-Si потрібного стехіометричного складу. Зроблено аналіз дифузійної проникності полікристалічного та поліфазного ДБ та надані рекомендації для практичних методів підвищення блокуючих властивостей полікристалічних дифузійних бар’єрів. Degradation of contacts of the electronic equipment at the raised temperatures is connected with active diffusion redistribution of components contact − metalized systems (CMS) and phase production on interphase borders. One of systems diffusion barriers (DB) are polycrystalline silicide a film, in particular silicides of the titan. Reception desilicide the titan (TiSi2) which on the parameters is demanded for conditions of microelectronics from known silicides of system Ti-Si, is possible as a result of direct reaction of a film of the titan and a substrate of silicon, and at sedimentation of layer Ti-Si demanded stoichiometric structure. Simultaneously there is specific problem polycrystalline diffusion a barrier (PDB): the polycrystalline provides structural balance and metastability film desilicide, but leaves in it borders of grains − easy local ways of diffusion. In clause the analysis diffusion permeability polycrystalline and polyphase DB is made and recommendations for practical methods of increase of blocking properties PDB are made. 2010 Article Применение поликристаллических диффузионных барьеров / В.А. Цымбал, И.Н. Колупаев // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 3. — С. 184-187. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17043 539.12.04 ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Применение ускорителей
Применение ускорителей
spellingShingle Применение ускорителей
Применение ускорителей
Цымбал, В.А.
Колупаев, И.Н.
Применение поликристаллических диффузионных барьеров
description Деградация контактов электронной аппаратуры при повышенных температурах связана с активным диффузионным перераспределением компонентов контактно-металлизационной системы (КМС) и фазообразованием на межфазных границах. Одной из систем диффузионных барьеров (ДБ) являются поликристаллические силицидные пленки, в частности, силициды титана. Получение дисилицидов титана (TiSi2), которые по своим параметрам востребованы для условий микроэлектроники из известных силицидов системы Ti-Si, возможно как в результате прямой реакции пленки титана и подложки кремния, так и при осаждении слоя Ti-Si требуемого стехиометрического состава. В статье сделан анализ диффузионной проницаемости поликристаллического и полифазного ДБ и сделаны рекомендации для практических методов повышения блокирующих свойств поликристаллических диффузионных барьеров (ПДБ).
format Article
author Цымбал, В.А.
Колупаев, И.Н.
author_facet Цымбал, В.А.
Колупаев, И.Н.
author_sort Цымбал, В.А.
title Применение поликристаллических диффузионных барьеров
title_short Применение поликристаллических диффузионных барьеров
title_full Применение поликристаллических диффузионных барьеров
title_fullStr Применение поликристаллических диффузионных барьеров
title_full_unstemmed Применение поликристаллических диффузионных барьеров
title_sort применение поликристаллических диффузионных барьеров
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate 2010
topic_facet Применение ускорителей
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17043
citation_txt Применение поликристаллических диффузионных барьеров / В.А. Цымбал, И.Н. Колупаев // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 3. — С. 184-187. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT cymbalva primeneniepolikristalličeskihdiffuzionnyhbarʹerov
AT kolupaevin primeneniepolikristalličeskihdiffuzionnyhbarʹerov
first_indexed 2023-10-18T16:59:11Z
last_indexed 2023-10-18T16:59:11Z
_version_ 1796140386961326080

Схожі ресурси