2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме

2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме

Рассматривается новый механизм возникновения пучково-плазменной неустойчивости, обусловленный, из-за различия продольной и поперечной масс релятивистских электронов, не продольной модуляцией цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме, а его разбиением на сгустки за счет дефокусировк...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Лотов, К.В., Маслов, В.И., Онищенко, И.Н., Весновская, М.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
Теми:
Сильноточная релятивистская электроника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17289
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме / К.В. Лотов, В.И. Маслов, И.Н. Онищенко, М.С. Весновская // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 4. — С. 12-16. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-17289
record_format dspace
spelling irk-123456789-172892011-02-26T12:03:39Z 2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме Лотов, К.В. Маслов, В.И. Онищенко, И.Н. Весновская, М.С. Сильноточная релятивистская электроника Рассматривается новый механизм возникновения пучково-плазменной неустойчивости, обусловленный, из-за различия продольной и поперечной масс релятивистских электронов, не продольной модуляцией цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме, а его разбиением на сгустки за счет дефокусировки электронов радиальным полем возбуждаемой волны и ухода их из области взаимодействия с волной. Проведено 2d3v-моделирование модуляции непрерывного пучка на этом механизме и нарастание возбуждаемого поля плазменной волны. Исследовано формирование последовательности релятивистских электронных сгустков из плотного непрерывного пучка. Показана также возможность получения профилированной последовательности сгустков из длинного электронного сгустка с линейно нарастающей плотностью. Розглядається новий механізм виникнення пучково-плазмової нестійкості, яка обумовлена, завдяки різниці повздовжньої та поперечної мас релятивістських електронів, не повздовжньою модуляцією циліндричного релятивістського електронного пучка в плазмі, а його розбивкою на згустки за рахунок дефокусування електронів радіальним полем хвилі, яка збуджується, и залишання ними області взаємодії з хвилею. Проведено 2d3v-моделювання модуляції безперервного пучка на цьому механізмі та зростання поля плазмової хвилі, яка збуджується. Досліджено формування послідовності релятивістських електронних згустків із щільного безперервного пучка. Показано також можливість отримання профільованої послідовності згустків з довгого електронного згустку з лінійно зростаючою щільністю. The new mechanism of origination of the beam-plasma instability is considered. It is conditioned, due to difference of longitudinal and transversal masses of relativistic electrons, not by longitudinal modulation of cylindrical relativistic electron beam in plasma but by its dividing on separate bunches due to defocusing of electrons by radial wakefield of excited wave and their leaving the region of interaction with wave. 2d3v simulation of modulation of continuous beam, caused by this mechanism, and growth of excited field of plasma wave is carried out. The formation of a sequence of relativistic electron bunches from dense continues beam is investigated. The possibility of formation of shaped sequence of bunches from a long electron bunch with linear growing of density is shown. 2010 Article 2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме / К.В. Лотов, В.И. Маслов, И.Н. Онищенко, М.С. Весновская // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 4. — С. 12-16. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17289 533.9.01 ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Сильноточная релятивистская электроника
Сильноточная релятивистская электроника
spellingShingle Сильноточная релятивистская электроника
Сильноточная релятивистская электроника
Лотов, К.В.
Маслов, В.И.
Онищенко, И.Н.
Весновская, М.С.
2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме
description Рассматривается новый механизм возникновения пучково-плазменной неустойчивости, обусловленный, из-за различия продольной и поперечной масс релятивистских электронов, не продольной модуляцией цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме, а его разбиением на сгустки за счет дефокусировки электронов радиальным полем возбуждаемой волны и ухода их из области взаимодействия с волной. Проведено 2d3v-моделирование модуляции непрерывного пучка на этом механизме и нарастание возбуждаемого поля плазменной волны. Исследовано формирование последовательности релятивистских электронных сгустков из плотного непрерывного пучка. Показана также возможность получения профилированной последовательности сгустков из длинного электронного сгустка с линейно нарастающей плотностью.
format Article
author Лотов, К.В.
Маслов, В.И.
Онищенко, И.Н.
Весновская, М.С.
author_facet Лотов, К.В.
Маслов, В.И.
Онищенко, И.Н.
Весновская, М.С.
author_sort Лотов, К.В.
title 2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме
title_short 2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме
title_full 2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме
title_fullStr 2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме
title_full_unstemmed 2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме
title_sort 2d3v численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate 2010
topic_facet Сильноточная релятивистская электроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17289
citation_txt 2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме / К.В. Лотов, В.И. Маслов, И.Н. Онищенко, М.С. Весновская // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 4. — С. 12-16. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT lotovkv 2d3včislennoemodelirovanieneustojčivosticilindričeskogorelâtivistskogoélektronnogopučkavplazme
AT maslovvi 2d3včislennoemodelirovanieneustojčivosticilindričeskogorelâtivistskogoélektronnogopučkavplazme
AT oniŝenkoin 2d3včislennoemodelirovanieneustojčivosticilindričeskogorelâtivistskogoélektronnogopučkavplazme
AT vesnovskaâms 2d3včislennoemodelirovanieneustojčivosticilindričeskogorelâtivistskogoélektronnogopučkavplazme
first_indexed 2023-10-18T16:59:41Z
last_indexed 2023-10-18T16:59:41Z
_version_ 1796140408021975040

Схожі ресурси