2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме

• Дата: 2010
• Автори: Лотов, К.В., Маслов, В.И., Онищенко, И.Н., Весновская, М.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
• Теми: Сильноточная релятивистская электроника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17289
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: 2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме / К.В. Лотов, В.И. Маслов, И.Н. Онищенко, М.С. Весновская // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 4. — С. 12-16. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Рассматривается новый механизм возникновения пучково-плазменной неустойчивости, обусловленный, из-за различия продольной и поперечной масс релятивистских электронов, не продольной модуляцией цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме, а его разбиением на сгустки за счет дефокусировк...