Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением
Предложен способ приближенного учета квадратичного слагаемого рекомбинационного типа в диффузионной задаче в области влияния стока. Суть его состоит в следующем: вблизи границы стока этим слагаемым, как и ранее, пренебрегаем в силу малости концентрации точечных дефектов; вблизи границы области влиян...
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | Слёзов, В.В., Остапчук, П.Н. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17375 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением / В.В. Слёзов, П.Н. Остапчук // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 5. — С. 15-20. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Упругое взаимодействие точечных дефектов с дислокационной петлей в методе функций Грина
за авторством: Остапчук, П.Н., та інші
Опубліковано: (2015) -
Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость
за авторством: Михайловский, В.В., та інші
Опубліковано: (2007) -
Формирование стационарных пластинчатых выделений в бинарном сплаве под облучением
за авторством: Щербань, Л.В., та інші
Опубліковано: (2012) -
Влияние дефектов на радиационно-индуцированные процессы в сцинтилляционных кристаллах вольфрамата кадмия
за авторством: Тупицына, И.А., та інші
Опубліковано: (2009) -
Модель эффективной поглощающей среды для бинарного сплава замещения под облучением
за авторством: Туркин, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)