Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии - Варенцов, М.Д.; Гайдар, Г.П.; Долголенко, А.П.; Литовченко, П.Г. (Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України, 2010)
Описан отжиг А-центров, дивакансий, А-центров, модифицированных водородом, в n-Si (P ≈ 10^14 см^-3), в отсутствие и при наличии примеси платины, после облучения протонами с энергией 1,8 МэВ. Показано, что энергия активации отжига радиационных дефектов при взаимодействии с водородно-вакансионными дефектами уменьшается с 1,1 до 0,8 эВ при увеличении концентрации платины в кремнии, так как деформационные поля, создаваемые атомами платины, уменьшают энергию переориентации дефектов. Уточнено энергетическое положение в запрещенной зоне кремния донорного уровня А-центра (ЕV + 0,415 эВ) на основании известных данных о положении А-центра, модифицированного атомом углерода (ЕV + 0,38 эВ) или водорода (ЕV + 0,28 эВ).