Эффекты слабой локализации электронов в проводимости пленок золота, подвергнутых облучению ионами аргона

• Дата: 1995
• Автори: Белевцев, Б.И., Беляев, Е.Ю., Бобков, В.В., Глушко, В.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
• Назва видання: Физика низких температур
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174647
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Эффекты слабой локализации электронов в проводимости пленок золота, подвергнутых облучению ионами аргона / Б.И. Белевцев, Е.Ю. Беляев, В.В. Бобков, В.И. Глушко // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 7. — С. 763-772. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Исследованы эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия в проводимости осажденных в вакууме тонких пленок золота (толщина L ≤ 10 нм) до и после облучения их ионами аргона с энергией 0,5-3,5 кэВ. Влияние облучения (при дозах до — 8 • 10¹⁵ см⁻²) сводилось к уменьшению толщины пленок и увеличению беспорядка кристаллической решетки. Температурные и магнитополевые зависимости квантовых поправок к проводимости пленок Δσ были измерены при температурах 0,5 К ≤ Т ≤ 50 К и магнитных полях до 20 кЭ. Численная обработка этих зависимостей позволила определить скорости неупругой, спин-орбитальной и спин-спиновой релаксации электронов. Обнаружено, что скорости спин-орбитальной релаксации в исследованных пленках уменьшаются при увеличении беспорядка под влиянием ионного облучения. Показано, что такое поведение (противоречащее, на первый взгляд, известным представлениям) возможно в тонких пленках при уменьшении длины свободного пробега электронов, если преобладающий вклад в спин-орбитальное рассеяние вносит поверхностное рассеяние электронов.