Анализ распределения зарядовых состояний атомов в высокотемпературных сверхпроводниках RBa₂Cu₃Ox
На основании сопоставления теоретически рассчитанного тензора градиента электрического поля с имеющимися экспериментальными данными определено распределение зарядовых состояний всех атомов в элементарной ячейке RВа₂Си₃Ох (х = 6, 7) (R = Yb, Ег, Но, Y, Gd, Eu, Sm, Nd, Рг). Проанализиповано изменени...
Збережено в:
| Дата: | 1995 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174738 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Анализ распределения зарядовых состояний атомов в высокотемпературных сверхпроводниках RBa₂Cu₃Ox / В.Е. Гусаков // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 8. — С. 805-809. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | На основании сопоставления теоретически рассчитанного тензора градиента электрического поля с имеющимися экспериментальными данными определено распределение зарядовых состояний всех атомов в элементарной ячейке RВа₂Си₃Ох (х = 6, 7) (R = Yb, Ег, Но, Y, Gd, Eu, Sm, Nd, Рг). Проанализиповано изменение зарядовых состояний атомов в зависимости от ионного радиуса. |
|---|