Процессы фазовой релаксации электронов в неупорядоченных пленках золота, подвергнутых облучению ионами аргона

• Видавець: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
• Дата: 1995
• Автори: Белевцев, Б.И., Комник, Ю.Ф., Беляев, Е.Ю.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
• Назва видання: Физика низких температур
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174745
• Цитувати: Процессы фазовой релаксации электронов в неупорядоченных пленках золота, подвергнутых облучению ионами аргона / Б.И. Белевцев, Ю.Ф. Комник, Е.Ю. Беляев // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 8. — С. 839-850. — Бібліогр.: 35 назв. — рос.

На основании анализа квантових поправок к магпитопроводимости тонких пленок золота, связанных с эффектом слабой локализации электронов, найдены температурные зависимости (в интервале 0,5-50 К) времени фазовой релаксации электронов при различной степени разупорядочения. Усиление беспорядка кристаллической решетки достигалось облучением пленок ионами аргона в вакууме. Обнаружено,что скоро­сти не упругой электронной релаксации, связанной с электрон-фононным рассеянием, описываются зависимостью вида, в которой показатель степени равен двум для низкоомных пленок и несколько возрастает при сильном разупорядочении; при этом появляется зависимость от длины свободного пробега, определяющая уменьшение скорости электрон-фопонного взаимодействия. Такое поведение, при разупорядочении может быть объяснено переходом от «чистого» к «грязному» пределу, когда t оказывается порядка длины волны тепловых фоnонов, а причиной заниженного значения (посравнению с предсказанием теории) является, по-видимому, двумерность электрон-фопонного взаимодействия в топких пленках.