О магнитооптических эффектах в сегнетоэлектрике
Получено выражение для высокочастотной восприимчивости сегнетоэлектрика в постоянном магнитном поле Н₀ , параллельном направлению спонтанной поляризации Р₀ . Рассмотрено отражение света и ero прохождение через сегнетоэлектрик при нормальном падении (ν- нормаль к поверхности). Показано, что в отражен...
Gespeichert in:
Datum: | 1997 |
---|---|
1. Verfasser: | |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
Schriftenreihe: | Физика низких температур |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174769 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | О магнитооптических эффектах в сегнетоэлектрике / И. Е. Чупис // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 3. — С. 290-295. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineZusammenfassung: | Получено выражение для высокочастотной восприимчивости сегнетоэлектрика в постоянном магнитном поле Н₀ , параллельном направлению спонтанной поляризации Р₀ . Рассмотрено отражение света и ero прохождение через сегнетоэлектрик при нормальном падении (ν- нормаль к поверхности). Показано, что в отраженном свете должен происходить поворот плоскости поляризации на угол, пророрциональный произведению (Р₀Н₀). В случае Н₀⟂v угол вращения плоскости поляризации прошедшего света периодически зависит от пройденноrо пути, а его амплитуда пропорциональна (Р₀Н₀). В rеометрии Н₀∥v для прошедшего света помимо эффекта Фарадея существует более слабый гирационный эффект, пропорциональный (Р₀Н₀), который не зависит от пути и в отличие от эффекта Фарадея компенсируется при обратном прохождении света. Этот Эффект, по-видимому, аналогичен "магнитополяризационной гирации", однако его оценки дают значительно меньшую величину. Указанные магнитооптические эффекты возможны в кристаллах любой симметрии и не только в сегнетоэлектриках, но и в диэлектриках, находящихся в постоянных электрическом и магнитном полях. |
---|