О магнитооптических эффектах в сегнетоэлектрике
Получено выражение для высокочастотной восприимчивости сегнетоэлектрика в постоянном магнитном поле Н₀ , параллельном направлению спонтанной поляризации Р₀ . Рассмотрено отражение света и ero прохождение через сегнетоэлектрик при нормальном падении (ν- нормаль к поверхности). Показано, что в отражен...
Збережено в:
Дата: | 1997 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174769 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | О магнитооптических эффектах в сегнетоэлектрике / И. Е. Чупис // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 3. — С. 290-295. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Получено выражение для высокочастотной восприимчивости сегнетоэлектрика в постоянном магнитном поле Н₀ , параллельном направлению спонтанной поляризации Р₀ . Рассмотрено отражение света и ero прохождение через сегнетоэлектрик при нормальном падении (ν- нормаль к поверхности). Показано, что в отраженном свете должен происходить поворот плоскости поляризации на угол, пророрциональный произведению (Р₀Н₀). В случае Н₀⟂v угол вращения плоскости поляризации прошедшего света периодически зависит от пройденноrо пути, а его амплитуда пропорциональна (Р₀Н₀). В rеометрии Н₀∥v для прошедшего света помимо эффекта Фарадея существует более слабый гирационный эффект, пропорциональный (Р₀Н₀), который не зависит от пути и в отличие от эффекта Фарадея компенсируется при обратном прохождении света. Этот Эффект, по-видимому, аналогичен "магнитополяризационной гирации", однако его оценки дают значительно меньшую величину. Указанные магнитооптические эффекты возможны в кристаллах любой симметрии и не только в сегнетоэлектриках, но и в диэлектриках, находящихся в постоянных электрическом и магнитном полях. |
---|