О возможности сверхтекучести в системе по верхностных электронов, спаренных с дырками подложки

Предложена ионам двумерная бозе-система — поверхностные электроны над пленкой сверхтекучего гелия (или отвердешиих водорода или пеона), спаренные с дырками подложки. Рассмотрен случай малой концентрации» при которой размер олектрон-дырочпых пар много меньше среднего расстояния между ними. Найдена эн...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1995
Автори: Шевченко, С.И., Терептьев, С.В., Ковдря, Ю.3.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
Назва видання:Физика низких температур
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174780
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:О возможности сверхтекучести в системе по верхностных электронов, спаренных с дырками подложки / С.И. Шевченко, С.В. Терептьев, Ю.3. Ковдря // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 9. — С. 891-898. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Предложена ионам двумерная бозе-система — поверхностные электроны над пленкой сверхтекучего гелия (или отвердешиих водорода или пеона), спаренные с дырками подложки. Рассмотрен случай малой концентрации» при которой размер олектрон-дырочпых пар много меньше среднего расстояния между ними. Найдена энергия связи электрон-дырочной пары и ее размер. Дана оценка температуры перехода Тс в сверхтекучее состояние. Установлены условия, при которых температура кристаллизации Тm ниже Тс, а также условия отсутствия кристаллизации вплоть до пулевой температуры. Рассмотрен вопрос о локализа­ ции пар примесями и неровностями подложки. Найдена величина плотности примесей, ниже которой лока­лизация пар существенно не влияет па фазовое состояние системы. Предложены эксперименты по обнаруже­нию рассмотренных явлений.