Влияние физической адсорбции гелия на туннельные характеристики механически контролируемых изломных контактов

• Main Authors: Шкляревский, О.И., Кейзерс, Р.Дж.П., Фоетс, Ю., ван Кемпен, Г.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
• Series: Физика низких температур
• Online Access: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174801

При низкотемпературных измерениях обнаружено сильное отклонение от экспоненциальной зависимо­ сти туннельного тока iT от расстояния между электродами s механически контролируемых изломных кон­ тактов в газообразном ³Не, ⁴Не или жидком ⁴Не для различных материалов (Ag, Al, Au, Pb, Pt, Ptlr). Причиной наблюдаемого поведения lT(s) является понижение локальной плотности электронных состояний в металле при физической адсорбции гелия в результате поляризации электронов от уровня Ферми 1s- орбиталью Не, приводящей к замедлению роста туннельного тока при сближении свободного от адсорбата «острия» с «образцом». Дальнейшее уменьшение s сопровождается вытеснением гелия из пространства меж­ ду электродами и резким возрастанием iT- в результате быстрого восстановления плотности электронных состояний. При понижении температуры до 1,2 К в ⁴Не наблюдались двухуровневые флуктуации туннельно­ го сопротивления, обусловленные спонтанным переходом атома гелия между электродами, а также новый тип флуктуаций, связанный с поверхностной диффузией атомов гелия. Оба эффекта отсутствуют как в нормальной фазе ⁴Не, так и в ³Не. Обсуждаются возможные причины резкого увеличения подвижности атомов физически адсорбированного гелия с уменьшением температуры.