Влияние физической адсорбции гелия на туннельные характеристики механически контролируемых изломных контактов
При низкотемпературных измерениях обнаружено сильное отклонение от экспоненциальной зависимо сти туннельного тока iT от расстояния между электродами s механически контролируемых изломных кон тактов в газообразном ³Не, ⁴Не или жидком ⁴Не для различных материалов (Ag, Al, Au, Pb, Pt, Ptlr). Прич...
Збережено в:
Дата: | 1995 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174801 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Влияние физической адсорбции гелия на туннельные характеристики механически контролируемых изломных контактов / О.И. Шкляревский, Р.Дж.П. Кейзерс, Ю. Фоетс, Г. ван Кемпен // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 10. — С. 1040-1048. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | При низкотемпературных измерениях обнаружено сильное отклонение от экспоненциальной зависимо
сти туннельного тока iT от расстояния между электродами s механически контролируемых изломных кон
тактов в газообразном ³Не, ⁴Не или жидком ⁴Не для различных материалов (Ag, Al, Au, Pb, Pt, Ptlr).
Причиной наблюдаемого поведения lT(s) является понижение локальной плотности электронных состояний
в металле при физической адсорбции гелия в результате поляризации электронов от уровня Ферми 1s-
орбиталью Не, приводящей к замедлению роста туннельного тока при сближении свободного от адсорбата
«острия» с «образцом». Дальнейшее уменьшение s сопровождается вытеснением гелия из пространства меж
ду электродами и резким возрастанием iT- в результате быстрого восстановления плотности электронных
состояний. При понижении температуры до 1,2 К в ⁴Не наблюдались двухуровневые флуктуации туннельно
го сопротивления, обусловленные спонтанным переходом атома гелия между электродами, а также новый
тип флуктуаций, связанный с поверхностной диффузией атомов гелия. Оба эффекта отсутствуют как в
нормальной фазе ⁴Не, так и в ³Не. Обсуждаются возможные причины резкого увеличения подвижности
атомов физически адсорбированного гелия с уменьшением температуры. |
---|