Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников

• Дата: 1995
• Автори: Мелков, Г.А., Малышев, В.Ю., Багада, А.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
• Назва видання: Физика низких температур
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174896
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников / Г.А. Мелков, В.Ю. Малышев, А.В. Багада // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 12. — С. 1192-1199. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

В трехсантиметровом диапазоне длин волн измерены изменения поверхностного сопротивления эпитак­ сиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) в зависимости от величины переменного и постоянного магнитных полей. Исследованы пленки YBa₂Cu₃O₇₋d на сапфире. Установлено, что перемен­ ное магнитное поле оказывает существенно более сильное влияние на поверхностное сопротивление, чем постоянное. Для объяснения экспериментальных результатов сделано предположение о том, что пленка ВТСП не является идеальный сверхпроводником, а состоит из последовательно соединенных участков раз­ личного типа: участков идеального сверхпроводника, участков с низкоомными и высокоомными внутригра- нульными джозефсоновскими связями, шунтированными идеальным сверхпроводником, и, наконец, весьма незначительного для эпитаксиальных пленок количества участков межгранульных джозефсоновских связей. Зависимости поверхностного сопротивления от постоянного магнитного поля обусловлены движением абри- косовских вихрей в участках идеального сверхпроводника, а от амплитуды переменного магнитного поля — переключением высокоомных контактов в низкоомное состояние.