Низкотемпературные особенности упругих модулей слоистого кристалла TlInS₂
Построена модель фазового перехода для слоистых кристаллов типа TlInS₂. Получена температурная зависимость тензора модулей упругости в различных фазах. Проведено сравнение теоретических результатов с экспериментальными данными вблизи последовательности фазовых переходов высокосимметричная—не соразм...
Збережено в:
Дата: | 1995 |
---|---|
Автори: | Гаджиев, Б.Р., Сеидов Мир-Гасан, Ю., Абдурахманов, В.Р. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174902 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Низкотемпературные особенности упругих модулей слоистого кристалла TlInS₂ / Б.Р. Гаджиев, Ю. Сеидов Мир-Гасан, В.Р. Абдурахманов // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 12. — С. 1241-1245. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
за авторством: Seyidov, М.Yu., та інші
Опубліковано: (2014) -
The TlInS2–ZnS system and the properties of the TlInS2:Zn2+ crystal
за авторством: L. Piskach, та інші
Опубліковано: (2018) -
Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂
за авторством: Абдуллаев, Н.А., та інші
Опубліковано: (2001) -
Electric properties of TlInS₂ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2006) -
Frequency-dependent dielectric coefficients of TlInS₂ amorphous films
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2007)