Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина
Изучено температурное изменение (в интервале 1,6-300 К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ(Sb)-слой с различной поверхностной концентрацией легирующих атомов сурьмы. Впервые установлено, что при темп...
Збережено в:
| Дата: | 1996 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174976 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, Вит.Б. Красовицкий, О.А. Миронов, О.Н. Макаровский, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1166-1173. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |