Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия

Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия

Изучены температурные (в интервале 1,6-20 К) и магнитополевые (до 4,5 Тл) зависимости проводимости и эдс Холла для δ(Sb)-слоев в Si при различной холловской концентрации носителей заряда. Показано, что эти зависимости с высокой точностью описываются квантовыми поправками к проводимости, связанными с...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1996
Автори: Каширин, В.Ю., Комник, Ю.Ф., Миронов, О.А., Макаровский, О.Н., Эмелеус, Ч.Дж., Волл, Т.Э.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Электpонные свойства металлов и сплавов
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174977
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1174-1185. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-174977
record_format dspace
spelling irk-123456789-1749772021-01-30T01:26:25Z Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия Каширин, В.Ю. Комник, Ю.Ф. Миронов, О.А. Макаровский, О.Н. Эмелеус, Ч.Дж. Волл, Т.Э. Электpонные свойства металлов и сплавов Изучены температурные (в интервале 1,6-20 К) и магнитополевые (до 4,5 Тл) зависимости проводимости и эдс Холла для δ(Sb)-слоев в Si при различной холловской концентрации носителей заряда. Показано, что эти зависимости с высокой точностью описываются квантовыми поправками к проводимости, связанными с эффектами слабой локализации электронов и электрон-электронного взаимодействия в двумерной системе. Определена температурная зависимость времени фазовой релаксации электронов, время спин-орбитальною взаимодействия и параметр λD электрон-электронного взаимодействия. Установлено, что уменьшение концентрации электронов в δ-слое сопровождается уменьшением параметра λD, что может быть объяснено особенностями процессов экранирования в двумерной электронной системе. Вивчено температурні (в інтервалі 1,6-20 К) і магнітопольові (до 4,5 Тл) залежності провідності та ерс Холла для δ(Sb) -шарів в Si з різною холлівською концентрацією носіїв заряду. Показано, що ці залежності з великою точністю описуються квантовими поправками до провідності, зв'язаними з ефектами слабкої локалізації електронів та електрон-електронної взаємодії в двовимірній системі. Визначено температурну залежність часу фазової релаксації електронів, час спін-орбітальної взаємодії і параметр λD електрон-електронної взаємодії. Установлено, що зменшення концентрації електронів в δ-шарі супроводжується зменшенням параметра λD, що може бути пояснено особливостями процесів екранування в двовимірній електронній системі. The temperature (from 1.5 to 2 К) and magnetic field (up to 4.5 Т) dependences of conductivity and Hall's emf have been studied in δ(Sb)-layers of Si with а different Hall's concentration of charge carriers. It is shown that these dependences can be described to а high degree of accuracy by the quantum corrections to conductivity associated with effects of weak localization of electron and electron—electron interaction in а two- dimensional system. The temperature dependence of electron phase relaxation time, the spin-orbit interaction time and the parameter λD of electron—electron interaction have been determined. It is found that decreasing coccentration of electron in а δ-layer involves а decrease in λD that mау be explained by the peculiarities of screening processes in а two-dimensional electronic system. 1996 Article Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1174-1185. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. 0132-6414 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174977 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Электpонные свойства металлов и сплавов
Электpонные свойства металлов и сплавов
spellingShingle Электpонные свойства металлов и сплавов
Электpонные свойства металлов и сплавов
Каширин, В.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Миронов, О.А.
Макаровский, О.Н.
Эмелеус, Ч.Дж.
Волл, Т.Э.
Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
Физика низких температур
description Изучены температурные (в интервале 1,6-20 К) и магнитополевые (до 4,5 Тл) зависимости проводимости и эдс Холла для δ(Sb)-слоев в Si при различной холловской концентрации носителей заряда. Показано, что эти зависимости с высокой точностью описываются квантовыми поправками к проводимости, связанными с эффектами слабой локализации электронов и электрон-электронного взаимодействия в двумерной системе. Определена температурная зависимость времени фазовой релаксации электронов, время спин-орбитальною взаимодействия и параметр λD электрон-электронного взаимодействия. Установлено, что уменьшение концентрации электронов в δ-слое сопровождается уменьшением параметра λD, что может быть объяснено особенностями процессов экранирования в двумерной электронной системе.
format Article
author Каширин, В.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Миронов, О.А.
Макаровский, О.Н.
Эмелеус, Ч.Дж.
Волл, Т.Э.
author_facet Каширин, В.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Миронов, О.А.
Макаровский, О.Н.
Эмелеус, Ч.Дж.
Волл, Т.Э.
author_sort Каширин, В.Ю.
title Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
title_short Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
title_full Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
title_fullStr Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
title_full_unstemmed Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
title_sort особенности электронных свойств δ(sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 1996
topic_facet Электpонные свойства металлов и сплавов
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174977
citation_txt Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1174-1185. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT kaširinvû osobennostiélektronnyhsvojstvdsbsloevvépitaksialʹnomkremnii2éffektyslabojlokalizaciiiélektronélektronnogovzaimodejstviâ
AT komnikûf osobennostiélektronnyhsvojstvdsbsloevvépitaksialʹnomkremnii2éffektyslabojlokalizaciiiélektronélektronnogovzaimodejstviâ
AT mironovoa osobennostiélektronnyhsvojstvdsbsloevvépitaksialʹnomkremnii2éffektyslabojlokalizaciiiélektronélektronnogovzaimodejstviâ
AT makarovskijon osobennostiélektronnyhsvojstvdsbsloevvépitaksialʹnomkremnii2éffektyslabojlokalizaciiiélektronélektronnogovzaimodejstviâ
AT émeleusčdž osobennostiélektronnyhsvojstvdsbsloevvépitaksialʹnomkremnii2éffektyslabojlokalizaciiiélektronélektronnogovzaimodejstviâ
AT vollté osobennostiélektronnyhsvojstvdsbsloevvépitaksialʹnomkremnii2éffektyslabojlokalizaciiiélektronélektronnogovzaimodejstviâ
first_indexed 2023-10-18T22:37:43Z
last_indexed 2023-10-18T22:37:43Z
_version_ 1796156011971608576

Схожі ресурси