Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты

Изучены температурные зависимости (при 3-50К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ<Sb>-слой с поверхностной концентрацией атомов сурьмы 1*10¹³ и 5*10¹² см⁻²; изучен вид вольт-амперных характерист...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1998
Автори: Красовицкий, Вит.Б., Комник, Ю.Ф., Миронов, О.А., Эмелеус, Ч.Дж., Волл, Т.Э.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1998
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174999
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты / Вит.Б. Красовицкий, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 3. — С. 241-249. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Изучены температурные зависимости (при 3-50К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ<Sb>-слой с поверхностной концентрацией атомов сурьмы 1*10¹³ и 5*10¹² см⁻²; изучен вид вольт-амперных характеристик при различных температурах. Установлено, что низкотемпературные кинетические явления в этих объектах определяются прыжковым механизмом проводимости, при достаточно низких температурах (меньше 10К) проявляется прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Нелинейность вольт-амперных характеристик успешно описывается теорией неомической прыжковой проводимости в умеренно сильных электрических полях.