Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов

Исследована зависимость распределения интенсивности в полосах люминесценции в вакуумной ультрафиолетовой и видимой областях от температуры кристаллов неона. Измерения вьполнены методом катодолюминесцентной спектроскопии при стационарном возбуждении и дополнены наблюдениями затуха­ння люминесценции н...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1997
Автори: Белов, А.Г., Горбулин, Г.М., Фуголь, И.Я., Юртаева, Е.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175074
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов / А.Г. Белов, Г.М. Горбулин, И.Я. Фуголь, Е.М. Юртаева // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 439-447. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Исследована зависимость распределения интенсивности в полосах люминесценции в вакуумной ультрафиолетовой и видимой областях от температуры кристаллов неона. Измерения вьполнены методом катодолюминесцентной спектроскопии при стационарном возбуждении и дополнены наблюдениями затуха­ння люминесценции на чистых кристаллах с совершенной структурой, образцах, содержащих дефекты, и в твердых растворах с электроотрицательной (кислород) и электроположительной (ксенон) примесями. Выяв­лен вклад рекомбинационноrо канала в формирование спектра автолокализованных состояний в твердом неоне. Показано, что этот канал является определяющим для заселення 3р(3р') излучающих центров и дает сравнительно слабый вклад в заселение нижайших Зs(Зs') - возбуждений. Эффективность рекомбинационного канала существенно зависит от температуры, резко возрастая при ее повышении. Анализ экспериментальных данных позволил сделать заключение о возможности самозахвата электронов в криокристаллах неона с образованием мелких автолокализованных состояний.