Анизотропия микроконтактных характеристик URu₂Si₂ в нормальном состоянии
Проведены измерения дифференциального сопротивления DV/DI(V) микроконтактов на основе соединения с тяжелыми фермионами (СТФ) URu₂Si₂ в области температур 1,5-20 К вдоль двух главных кристаллографических направлений....
Збережено в:
| Дата: | 1995 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175272 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Анизотропия микроконтактных характеристик URu₂Si₂ в нормальном состоянии / Ю.Г. Найдюк, О.Е. Квитницкая, А. Новак, И.К. Янсон, А.А. Меновский // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 3. — С. 310-315. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Проведены измерения дифференциального сопротивления DV/DI(V) микроконтактов на основе соединения с тяжелыми фермионами (СТФ) URu₂Si₂ в области температур 1,5-20 К вдоль двух главных кристаллографических направлений. |
|---|