Особенности прохождения акустической энергии из жидкого гелия в металлы (Обзор)
Дан краткий обзор экспериментальных и теоретических исследований коэффициента прохождения энерrии фононов α из жидкого гелия в металлы кубической симметрии: монокристаллы вольфрама, меди и алюминия и поликристалл золота. Показано, что для монокристаллов с идеальной поверхностью коэффициенты прохожд...
Збережено в:
Дата: | 1997 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175280 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Особенности прохождения акустической энергии из жидкого гелия в металлы (Обзор) / К.Н. Зиновьева // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 485-498. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Дан краткий обзор экспериментальных и теоретических исследований коэффициента прохождения энерrии фононов α из жидкого гелия в металлы кубической симметрии: монокристаллы вольфрама, меди и алюминия и поликристалл золота. Показано, что для монокристаллов с идеальной поверхностью коэффициенты прохождения хорошо описываются теорией акустическоrо рассогласования импедансов с учетом диссипации фононов на электронах nроводимости. Подтверждена теория Андреева электронного резонансного поглощения рэлеевской волны поверхностью монокристаллов с α -1. В сильно анизотропном монокристалле меди наблюдался, кроме того, резонансный пик поглощения псевдоповерхностной волны. На примере алюминия показано, что при переходе из нормального состояния в сверхпроводящее диссипация фононов резко уменьшается, а высота рэлеевского пика соответственно падает. Установлено, что главным механизмом рассеяния фононов в поликристалле является рэлеевское рассеяние на границах зерен, пропорциональное w⁴ , намного превышающее рассеяние на электронах, при этом сильно меняется вид угловой зависимости коэффициента прохождения α(θ). |
---|