О природе линейной зависимости кондактанса от напряжения в туннельных контактах высокотемпературных сверхпроводников выше критической температуры
Показано, что характерная для туннельных контактов высокотемпературных сверхпроводников линей ная зависимость кцндактанса от напряжения может быть обусловлена неупругим рассеянием электронов в процессе туннелирования не только на флуктуациях спиновой плотности (парамагнонах) в системе спинов с...
Збережено в:
Дата: | 1995 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175383 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | О природе линейной зависимости кондактанса от напряжения в туннельных контактах высокотемпературных сверхпроводников выше критической температуры / Э.А. Пашицкий // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 518-522. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Показано, что характерная для туннельных контактов высокотемпературных сверхпроводников линей
ная зависимость кцндактанса от напряжения может быть обусловлена неупругим рассеянием электронов в
процессе туннелирования не только на флуктуациях спиновой плотности (парамагнонах) в системе спинов с
антиферромагнитными корреляциями, но и на низкочастотных флуктуациях зарядовой плотности (акусти
ческих плазмонах) в системе почти локализованных «тяжелых» носителей заряда в аномально узкой зоне с
высЬкой плотностью состояний вблизи уровня Ферми либо на фононах с очень низкой дебаевской частотой
акустической части спектра и широким оптическим спектром. |
---|