Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл

В рамках формализма задачи рассеяния получены общие выражения для тока и спектральной плотности токовых флуктуаций в низкочастотном пределе для контакта нормальный металл — сверхпроводник с произ­ вольным барьером в присутствии постоянной внешней разности потенциалов. Показано, что в зависимости...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Дата:1995
Автори: Найденов, С.В., Хлус, В.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
Назва видання:Физика низких температур
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175385
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл / С.В. Найденов, В.А. Хлус // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 594-603. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:В рамках формализма задачи рассеяния получены общие выражения для тока и спектральной плотности токовых флуктуаций в низкочастотном пределе для контакта нормальный металл — сверхпроводник с произ­ вольным барьером в присутствии постоянной внешней разности потенциалов. Показано, что в зависимости от характера туннелирования (нерезонансное в бесструктурном барьере; резонансное в барьере, содержащем локализованные состояния) возможно существенно различное поведение динамических и фуктуационных характеристик системы. Для конкретной модели резонансного туннелирования получено выражение для тока, допускающее существование отрицательного дифференциального сопротивления в определенной обла­ сти значений параметров рассеяния. Также получена формула для шума тока, спектральная плотность которого по сравнению с нерезонансным туннелированием содержит дополнительные вклады, обусловлен­ ные интерференционными электрон-дырочными процессами рассеяния на локализованном состоянии.