Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл
В рамках формализма задачи рассеяния получены общие выражения для тока и спектральной плотности токовых флуктуаций в низкочастотном пределе для контакта нормальный металл — сверхпроводник с произ вольным барьером в присутствии постоянной внешней разности потенциалов. Показано, что в зависимости...
Збережено в:
Дата: | 1995 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175385 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл / С.В. Найденов, В.А. Хлус // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 594-603. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | В рамках формализма задачи рассеяния получены общие выражения для тока и спектральной плотности
токовых флуктуаций в низкочастотном пределе для контакта нормальный металл — сверхпроводник с произ
вольным барьером в присутствии постоянной внешней разности потенциалов. Показано, что в зависимости от
характера туннелирования (нерезонансное в бесструктурном барьере; резонансное в барьере, содержащем
локализованные состояния) возможно существенно различное поведение динамических и фуктуационных
характеристик системы. Для конкретной модели резонансного туннелирования получено выражение для
тока, допускающее существование отрицательного дифференциального сопротивления в определенной обла
сти значений параметров рассеяния. Также получена формула для шума тока, спектральная плотность
которого по сравнению с нерезонансным туннелированием содержит дополнительные вклады, обусловлен
ные интерференционными электрон-дырочными процессами рассеяния на локализованном состоянии. |
---|