О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S
Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока зан...
Збережено в:
| Дата: | 1995 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175387 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S / С.В. Куплевахский, И.И. Фалько // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 613-616. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо
ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе
нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока
зано, что понижение энергии локализованного состояния и его затухание обусловлены конечной величиной
вероятности туннелирования с несохранением компоненты импульса, параллельной барьеру. |
|---|