О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S
Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока зан...
Збережено в:
Дата: | 1995 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175387 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S / С.В. Куплевахский, И.И. Фалько // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 613-616. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!