Влияние гидростатического давления на электросопротивление и критическую температуру монокристаллов YBa₂Cu₃O₇-d
Экспериментально исследовано влияние гидростатического давления на электросопротивление и резистивный переход в сверхпроводящее состояние монокристаллов YBa₂Cu₃O₇-d с различным содержанием кислорода. Обнаружено, что после приложения (или снятия) давления электросопротивление релаксирует к равновесно...
Збережено в:
Дата: | 1997 |
---|---|
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175391 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Влияние гидростатического давления на электросопротивление и критическую температуру монокристаллов YBa₂Cu₃O₇-d / Д.Д. Балла, А.В. Бондаренко, Р.В. Вовк, М.А. Оболенский, А.А. Продан // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 10. — С. 1035-1040. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Экспериментально исследовано влияние гидростатического давления на электросопротивление и резистивный переход в сверхпроводящее состояние монокристаллов YBa₂Cu₃O₇-d с различным содержанием кислорода. Обнаружено, что после приложения (или снятия) давления электросопротивление релаксирует к равновесному значению, которое зависит от величины
давления. Время релаксации электросопротивления при комнатной температуре составляет около двух суток. Показано, что изменение критической температуры под воздействием давления в основном определяется величиной давления, а ширина и форма сверхпроводящего перехода зависят от степени релаксации электросопротивления к своему равновесному значению. Сделан вывод, что уменьшение электросопротивления под воздействием всестороннего сжатия вызвано упорядочением лабильного кислорода в Сu-О-плоскости. Обсуждаются возможные механизмы изменения критической температуры и электросопротивления. |
---|