2025-02-23T13:16:13-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-175405%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:16:13-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-175405%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:16:13-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:16:13-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте

Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте

Показано, что на положение первой линии поперечной электронной фокусировки в висмуте на шкале магнитных полей сильное влияние оказывает релаксация электронов в эмиттерном микроконтакте, в результате чего энергия электронов, покинувших микроконтактную область, меньше, чем энергия eV, задаваемая пр...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Андриевский, В.В., Комник, Ю.Ф., Рожок, С.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
Series:Физика низких температур
Subjects:
Электpонные свойства металлов и сплавов
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175405
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Показано, что на положение первой линии поперечной электронной фокусировки в висмуте на шкале магнитных полей сильное влияние оказывает релаксация электронов в эмиттерном микроконтакте, в результате чего энергия электронов, покинувших микроконтактную область, меньше, чем энергия eV, задаваемая приложенным к микроконтакту напряжением. При протекании сильных токов на положение линии электронной фокусировки оказывает влияние также собственное магнитное поле тока, причем дополнительное ее смещение под влиянием этого фактора нелинейно зависит от V, что обусловлено сильной нелинейностью вольт-амперных характеристик висмутового микроконтакта. Показано, что эта нелинейность может быть объяснена ростом концентрации носителей заряда в области микроконтакта под влиянием градиента распределения потенциала и процесса межзонного туннелирования. С помощью этих механизмов достигается точное описание нелинейности вольт-амперных характеристик висмутовых микроконтактов.

Similar Items