2025-02-23T13:16:06-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-175405%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T13:16:06-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-175405%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T13:16:06-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK

2025-02-23T13:16:06-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте

Показано, что на положение первой линии поперечной электронной фокусировки в висмуте на шкале магнитных полей сильное влияние оказывает релаксация электронов в эмиттерном микроконтакте, в результате чего энергия электронов, покинувших микроконтактную область, меньше, чем энергия eV, задаваемая пр...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Authors:	Андриевский, В.В., Комник, Ю.Ф., Рожок, С.В.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
Series:	Физика низких температур
Subjects:	Электpонные свойства металлов и сплавов
Online Access:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175405
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

id	irk-123456789-175405
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1754052021-02-02T01:27:12Z Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте Андриевский, В.В. Комник, Ю.Ф. Рожок, С.В. Электpонные свойства металлов и сплавов Показано, что на положение первой линии поперечной электронной фокусировки в висмуте на шкале магнитных полей сильное влияние оказывает релаксация электронов в эмиттерном микроконтакте, в результате чего энергия электронов, покинувших микроконтактную область, меньше, чем энергия eV, задаваемая приложенным к микроконтакту напряжением. При протекании сильных токов на положение линии электронной фокусировки оказывает влияние также собственное магнитное поле тока, причем дополнительное ее смещение под влиянием этого фактора нелинейно зависит от V, что обусловлено сильной нелинейностью вольт-амперных характеристик висмутового микроконтакта. Показано, что эта нелинейность может быть объяснена ростом концентрации носителей заряда в области микроконтакта под влиянием градиента распределения потенциала и процесса межзонного туннелирования. С помощью этих механизмов достигается точное описание нелинейности вольт-амперных характеристик висмутовых микроконтактов. Виявлено, що на позицію першої лінії поперечного електронного фокусування у вісмуті на шкалі магнітних полей сильно впливає релаксація електронів в емітерному мікроконтакті, внаслідок чого енергія електронів, які покинули мікроконтактну зону, менша енергії eV, обумовленої прикладеною до мікроконтакту напругою. Під час протікання потужних струмів на позицію лінії електронного фокусування впливає також власне магнітне поле струму, до того ж її додаткове зміщення під впливом цього фактора нелінійно залежить від V, що обумовлюється сильною нелінійністю вольт- амперних характеристик вісмутового мікроконтакту. Виявлено, що ця нелінійність може бути пояснена зростанням концентрації носіїв заряду в зоні мікроконтакту під впливом градієнта розподілу потенціалу та процеса міжзонного тунелювання, за допомогою цих механізмів досягається точний опис нелінійності вольт-амперних характеристик вісмутових мікроконтактів. It is shown that the position of the first line of the transverse electron focusing in Bi on the magnetic field scale is strongly influenced by the electron relaxation in the emitting point contact. As a result, the electrons which left the point contact region have energies below those dictated by the voltage applied to the point contact. At high currents the EF line position is also influenced by the intrinsic magnetic field of the current. An additional shift of the EF line is nonlinear with V because of strong nonlinearity of the I-V characteristics of Bi point contacts. It is shown that the nonlinearity may be attributed to the growing concentration of charge carriers in the point contact region due to the gradient of the potential distribution and interband tunneling. These mechanism permit the nonlinearity of the I-V characteristics of Bi point contacts to be described exactly. 1997 Article Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте / В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 10. — С. 1078-1087. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.23.Ad, 73.40.Jn http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175405 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Электpонные свойства металлов и сплавов Электpонные свойства металлов и сплавов
spellingShingle	Электpонные свойства металлов и сплавов Электpонные свойства металлов и сплавов Андриевский, В.В. Комник, Ю.Ф. Рожок, С.В. Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте Физика низких температур
description	Показано, что на положение первой линии поперечной электронной фокусировки в висмуте на шкале магнитных полей сильное влияние оказывает релаксация электронов в эмиттерном микроконтакте, в результате чего энергия электронов, покинувших микроконтактную область, меньше, чем энергия eV, задаваемая приложенным к микроконтакту напряжением. При протекании сильных токов на положение линии электронной фокусировки оказывает влияние также собственное магнитное поле тока, причем дополнительное ее смещение под влиянием этого фактора нелинейно зависит от V, что обусловлено сильной нелинейностью вольт-амперных характеристик висмутового микроконтакта. Показано, что эта нелинейность может быть объяснена ростом концентрации носителей заряда в области микроконтакта под влиянием градиента распределения потенциала и процесса межзонного туннелирования. С помощью этих механизмов достигается точное описание нелинейности вольт-амперных характеристик висмутовых микроконтактов.
format	Article
author	Андриевский, В.В. Комник, Ю.Ф. Рожок, С.В.
author_facet	Андриевский, В.В. Комник, Ю.Ф. Рожок, С.В.
author_sort	Андриевский, В.В.
title	Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте
title_short	Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте
title_full	Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте
title_fullStr	Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте
title_full_unstemmed	Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте
title_sort	релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	1997
topic_facet	Электpонные свойства металлов и сплавов
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175405
citation_txt	Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте / В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 10. — С. 1078-1087. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT andrievskijvv relaksaciâiéffektygradientapotencialavvismutovommikrokontakte AT komnikûf relaksaciâiéffektygradientapotencialavvismutovommikrokontakte AT rožoksv relaksaciâiéffektygradientapotencialavvismutovommikrokontakte
first_indexed	2023-10-18T22:38:49Z
last_indexed	2023-10-18T22:38:49Z
_version_	1796156061757997056

Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте

Similar Items