Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺
Проведен расчет и построены карты распределения электронной плотности (ЭП) ячеек кристаллов Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ и Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, что замена иона Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ приводит к деформации распределения ЭП вблизи СиO₂-плоскостей. Сделано предположение, что сверхпроводящий...
Збережено в:
| Дата: | 1995 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175486 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³+ ионом Рг⁴+ / В.А. Волошин, П.И. Михеенко, В.В. Бабенко, В.Г. Бутько, И.М. Резник, Я.И. Южелевский // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 514-517. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-175486 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1754862021-02-03T01:26:38Z Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ Волошин, В.А. Михеенко, П.И. Бабенко, В.В. Бутько, В.Г. Резник, И.М. Южелевский, Я.И. Проведен расчет и построены карты распределения электронной плотности (ЭП) ячеек кристаллов Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ и Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, что замена иона Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ приводит к деформации распределения ЭП вблизи СиO₂-плоскостей. Сделано предположение, что сверхпроводящий ток протекает в двумерных слоях минимальной ЭП. Проведено разрахунок та побудовано карти розподілу електронної густини (ЕГ) элементарних комірок кристалів у Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ та Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, що заміна іона Y³⁺ іоном Рг⁴⁺ деформує розподіл ЕГ поблизу СиO₂ -площини. Зроблено припущення, що надпровідний струм тече у двовимірних шарах міні мальної ЕГ. The electron density distribution of the cells of Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ and Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ is calculated and mapped. It is shown that the substitution of Y³⁺ ion by Рг⁴⁺ ion deforms the electron density distribution in the vicinity of the СиO₂ planes. It is supposed, that super current flows in two-dimensional layers of the lowest electron density. 1995 Article Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³+ ионом Рг⁴+ / В.А. Волошин, П.И. Михеенко, В.В. Бабенко, В.Г. Бутько, И.М. Резник, Я.И. Южелевский // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 514-517. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 0132-6414 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175486 538.913 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Проведен расчет и построены карты распределения электронной плотности (ЭП) ячеек кристаллов
Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ и Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, что замена иона Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ приводит к деформации
распределения ЭП вблизи СиO₂-плоскостей. Сделано предположение, что сверхпроводящий ток протекает в
двумерных слоях минимальной ЭП. |
| format |
Article |
| author |
Волошин, В.А. Михеенко, П.И. Бабенко, В.В. Бутько, В.Г. Резник, И.М. Южелевский, Я.И. |
| spellingShingle |
Волошин, В.А. Михеенко, П.И. Бабенко, В.В. Бутько, В.Г. Резник, И.М. Южелевский, Я.И. Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ Физика низких температур |
| author_facet |
Волошин, В.А. Михеенко, П.И. Бабенко, В.В. Бутько, В.Г. Резник, И.М. Южелевский, Я.И. |
| author_sort |
Волошин, В.А. |
| title |
Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ |
| title_short |
Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ |
| title_full |
Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ |
| title_fullStr |
Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ |
| title_full_unstemmed |
Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ |
| title_sort |
изменение электронной плотности в кристаллах yba₂cu₃o₇ при замещении y³⁺ ионом рг⁴⁺ |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
1995 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175486 |
| citation_txt |
Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³+ ионом Рг⁴+ / В.А. Волошин, П.И. Михеенко, В.В. Бабенко, В.Г. Бутько, И.М. Резник, Я.И. Южелевский // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 514-517. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT vološinva izmenenieélektronnojplotnostivkristallahyba2cu3o7prizameŝeniiy3ionomrg4 AT miheenkopi izmenenieélektronnojplotnostivkristallahyba2cu3o7prizameŝeniiy3ionomrg4 AT babenkovv izmenenieélektronnojplotnostivkristallahyba2cu3o7prizameŝeniiy3ionomrg4 AT butʹkovg izmenenieélektronnojplotnostivkristallahyba2cu3o7prizameŝeniiy3ionomrg4 AT reznikim izmenenieélektronnojplotnostivkristallahyba2cu3o7prizameŝeniiy3ionomrg4 AT ûželevskijâi izmenenieélektronnojplotnostivkristallahyba2cu3o7prizameŝeniiy3ionomrg4 |
| first_indexed |
2023-10-18T22:38:58Z |
| last_indexed |
2023-10-18T22:38:58Z |
| _version_ |
1796156071557988352 |