Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе

• Дата: 1995
• Автори: Колмаков, А.А., Станкевич, В.Г., Суханов, Л.П., Гертлер, П., Краас, М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
• Назва видання: Физика низких температур
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175494
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе / А.А. Колмаков, В.Г. Станкевич, Л.П. Суханов, П. Гертлер, М. Краас // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 559-564. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.

Измерены спектры возбуждения фотопроводимости и люминесценции образцов твердого Хе с поверхно­ стью, допированной ионами К⁺. На спектрах фотопроводимости как функции длины волны возбуждающего света обнаружены пики фототока в экситонных позициях, показывающие, что при данных энергиях форми­ руются подвижные носители тока на поверхности образца. Этот процесс объясняется захватом экситона на центрах ХеК⁺ с последующим образованием подвижной дырки в результате реакции с переносом заряда между экситоном и ионом. Эти подвижные дырки регистрируются как измеряемые фототоки. Проведена оценка вероятности образования дырки в такого рода процессах. Спектр возбуждения люминесценции авто- локализованных экситонов в целом совпадает с уже известными, однако для допированных ионами образцов наблюдается некоторое тушение свечения в высокоэнергетичной части спектра. Этот эффект объясняется преимущественным развалом слабосвязанных экситонов с n = 2 сильным электростатическим полем в образ­ це.