Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе

Измерены спектры возбуждения фотопроводимости и люминесценции образцов твердого Хе с поверхно стью, допированной ионами К⁺. На спектрах фотопроводимости как функции длины волны возбуждающего света обнаружены пики фототока в экситонных позициях, показывающие, что при данных энергиях форми руютс...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	1995
Автори:	Колмаков, А.А., Станкевич, В.Г., Суханов, Л.П., Гертлер, П., Краас, М.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
Назва видання:	Физика низких температур
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175494
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе / А.А. Колмаков, В.Г. Станкевич, Л.П. Суханов, П. Гертлер, М. Краас // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 559-564. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-175494
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1754942021-02-02T01:28:02Z Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе Колмаков, А.А. Станкевич, В.Г. Суханов, Л.П. Гертлер, П. Краас, М. Измерены спектры возбуждения фотопроводимости и люминесценции образцов твердого Хе с поверхно стью, допированной ионами К⁺. На спектрах фотопроводимости как функции длины волны возбуждающего света обнаружены пики фототока в экситонных позициях, показывающие, что при данных энергиях форми руются подвижные носители тока на поверхности образца. Этот процесс объясняется захватом экситона на центрах ХеК⁺ с последующим образованием подвижной дырки в результате реакции с переносом заряда между экситоном и ионом. Эти подвижные дырки регистрируются как измеряемые фототоки. Проведена оценка вероятности образования дырки в такого рода процессах. Спектр возбуждения люминесценции авто- локализованных экситонов в целом совпадает с уже известными, однако для допированных ионами образцов наблюдается некоторое тушение свечения в высокоэнергетичной части спектра. Этот эффект объясняется преимущественным развалом слабосвязанных экситонов с n = 2 сильным электростатическим полем в образ це. Виміряно спектри збудження фотопровідності та люмінесценції зразків твердого Хе з поверхнею, догюва- ною іонами К⁺. На спектрах фотопровідності як функції довжини хвилі збуждуючого світла виявлено піки фототоку в екситонних позиціях, яки виявляють, що при даних енергіях формуються рухомі носії току на поверхні зразка. Цей процес пояснюється захопленням ексигона на центрах ХеК⁺ з наступним утворенням рухомої дірки в результаті реакції з переносом заряду між екситоном та іоном. Ці рухомі дірки реєструються як фототоки, що вимірюються. Проведено оцінку імовірності утворення дірки в такого роду процесах. Спектр збудження люмінесценції автолокалізованих екситонів в цілому' збігається з вже відомими, однак для допова- них іонами зразків спостерігається деяке гасіння світіння в високоенергетичній частині спектра. Цей ефект пояснюється переважним руйнуванням слабкозв’язаних екситонів з n = 2 сильним електростатичним полем у зразку. Photoconductivity and luminescence excitation spectra were measured on solid Xe samples doped at the surface with К⁺ ions. The photoconductivity spectra show peaks at ihe excitionic positions indicating, that movable charges are produced at the surface. The pro cess is explained by exciton trapping at the XeК⁺ centres and the subsequent formation of a movable hole due to a charge transfer between the exciton and the hole. The movable holes are recorded as measurable photocurrents. 1'he probability of the hole formation is estimated. The luminescence excitation spectra are si milar to the known ones with minima at the exciton posi tions. However, for ion doped samples some quenching is observed in the high energy part of the spectra. It is interpreted mainly as high electric field-induced ioniza tion of the exciiions with n = 2. 1995 Article Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе / А.А. Колмаков, В.Г. Станкевич, Л.П. Суханов, П. Гертлер, М. Краас // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 559-564. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. 0132-6414 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175494 538.9 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	Измерены спектры возбуждения фотопроводимости и люминесценции образцов твердого Хе с поверхно стью, допированной ионами К⁺. На спектрах фотопроводимости как функции длины волны возбуждающего света обнаружены пики фототока в экситонных позициях, показывающие, что при данных энергиях форми руются подвижные носители тока на поверхности образца. Этот процесс объясняется захватом экситона на центрах ХеК⁺ с последующим образованием подвижной дырки в результате реакции с переносом заряда между экситоном и ионом. Эти подвижные дырки регистрируются как измеряемые фототоки. Проведена оценка вероятности образования дырки в такого рода процессах. Спектр возбуждения люминесценции авто- локализованных экситонов в целом совпадает с уже известными, однако для допированных ионами образцов наблюдается некоторое тушение свечения в высокоэнергетичной части спектра. Этот эффект объясняется преимущественным развалом слабосвязанных экситонов с n = 2 сильным электростатическим полем в образ це.
format	Article
author	Колмаков, А.А. Станкевич, В.Г. Суханов, Л.П. Гертлер, П. Краас, М.
spellingShingle	Колмаков, А.А. Станкевич, В.Г. Суханов, Л.П. Гертлер, П. Краас, М. Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе Физика низких температур
author_facet	Колмаков, А.А. Станкевич, В.Г. Суханов, Л.П. Гертлер, П. Краас, М.
author_sort	Колмаков, А.А.
title	Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе
title_short	Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе
title_full	Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе
title_fullStr	Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе
title_full_unstemmed	Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе
title_sort	ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах хек⁺, изолированных в твердом хе
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	1995
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175494
citation_txt	Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе / А.А. Колмаков, В.Г. Станкевич, Л.П. Суханов, П. Гертлер, М. Краас // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 559-564. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT kolmakovaa ionizaciâéksitonovnaprimesnyhmolekulârnyhionahhekizolirovannyhvtverdomhe AT stankevičvg ionizaciâéksitonovnaprimesnyhmolekulârnyhionahhekizolirovannyhvtverdomhe AT suhanovlp ionizaciâéksitonovnaprimesnyhmolekulârnyhionahhekizolirovannyhvtverdomhe AT gertlerp ionizaciâéksitonovnaprimesnyhmolekulârnyhionahhekizolirovannyhvtverdomhe AT kraasm ionizaciâéksitonovnaprimesnyhmolekulârnyhionahhekizolirovannyhvtverdomhe
first_indexed	2023-10-18T22:38:58Z
last_indexed	2023-10-18T22:38:58Z
_version_	1796156072408383488

Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе

Репозитарії

Схожі ресурси