Критические параметры высокотемпературной HgBaCaCuO керамики с Тс = 133 К: эффекты магнитного поля и давления

Для образцов керамики Hg₀,₈Pb₀,₂Bа₂Cа₂Сu₃О₈₊δ (Hg1223) с Тс = 133±0,5 К изучены зависимости критической температуры Тс и плотности критического тока Jс от гидростатического сжатия до 10 кбар. При давлениях до 3 кбар скорость изменения dTc/dP составляла 0,28±0,04 К/кбар, а при Р ≈ 10 кбар уменьша­лас...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1996
Автори: Таренков, В.Ю., Абалешев, А.В., Дьяченко, А.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Назва видання:Физика низких температур
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175501
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Критические параметры высокотемпературной HgBaCaCuO керамики с Тс = 133 К: эффекты магнитного поля и давления / В.Ю. Таренков, А.В. Абалешев, А.И. Дьяченко // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 6. — С. 609-612. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Для образцов керамики Hg₀,₈Pb₀,₂Bа₂Cа₂Сu₃О₈₊δ (Hg1223) с Тс = 133±0,5 К изучены зависимости критической температуры Тс и плотности критического тока Jс от гидростатического сжатия до 10 кбар. При давлениях до 3 кбар скорость изменения dTc/dP составляла 0,28±0,04 К/кбар, а при Р ≈ 10 кбар уменьша­лась до 0,18±0,04 К/кбар. Нелинейность в dTc/dP, по-видимому, объясняется изменением концентрации дырок в плоскостях СuO₂ под действием давления. Обнаруженная сильная реакция критического тока на давление d ln Jc / dP = 0,2±0,02 кбар⁻¹ указывает на слабосвязанный характер токонесущего кластера ис­следуемой керамики.