Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He

Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He

Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В интервале температур 1,2 -1,4 К примесь не влияла на кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного вклад...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1997
Автор: Цымбаленко, В.Л.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175527
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He / В.Л. Цымбаленко // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 619-623. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-175527
record_format dspace
spelling irk-123456789-1755272021-02-02T01:29:05Z Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He Цымбаленко, В.Л. Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В интервале температур 1,2 -1,4 К примесь не влияла на кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного вклада в кинетику роста за счет диффузии примеси. Виміряно кінетичний коефіцієнт росту атомно-шершавої поверхні кристала гелію з розчину з домішкою ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В інтервалі температур 1,2-1,4 К домішка не впливала на кінетику росту. Порівняння результатів експерименту з теорією дозволяє зробити висновок про відсутність додаткового внеску в кінетику росту за рахунок дифузії домішки. The kinetic growth coefficient is measured for an atomically rough surface of a helium crystal grown from a solution with a low ³Не impurity concentration (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). The impurity does not affect the growth rate of the surface in the temperature range from 1.2 to 1.4 K. A comparison of the experimental results with the theory leads to the conclusion that the additional contribution of impurity diffusion to the growth kinetics is equal to zero. 1997 Article Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He / В.Л. Цымбаленко // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 619-623. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 67.80.Mg http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175527 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
spellingShingle Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Цымбаленко, В.Л.
Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He
Физика низких температур
description Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В интервале температур 1,2 -1,4 К примесь не влияла на кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного вклада в кинетику роста за счет диффузии примеси.
format Article
author Цымбаленко, В.Л.
author_facet Цымбаленко, В.Л.
author_sort Цымбаленко, В.Л.
title Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He
title_short Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He
title_full Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He
title_fullStr Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He
title_full_unstemmed Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He
title_sort кинетика pоста кpисталла ⁴he с малой концентрацией пpимеси ³he
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 1997
topic_facet Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175527
citation_txt Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He / В.Л. Цымбаленко // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 619-623. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT cymbalenkovl kinetikapostakpistalla4hesmalojkoncentraciejppimesi3he
first_indexed 2023-10-18T22:39:04Z
last_indexed 2023-10-18T22:39:04Z
_version_ 1796156075906433024

Схожі ресурси