Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He
Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В интервале температур 1,2 -1,4 К примесь не влияла на кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного вклад...
Збережено в:
| Дата: | 1997 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175527 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He / В.Л. Цымбаленко // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 619-623. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |