Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
Показано, что тонкая структура линии поперечной электронной фокусировки (ЭФ) в кристалле висмута связана с явлением дифракции электронного потока, втекающего в кристалл через микроконтакт. В методе ЭФ баллистический транспорт электронов на циклотронной траектории сохраняет неоднородное угловое распр...
Збережено в:
| Дата: | 1996 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175551 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты./ Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1406-1417. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Показано, что тонкая структура линии поперечной электронной фокусировки (ЭФ) в кристалле висмута связана с явлением дифракции электронного потока, втекающего в кристалл через микроконтакт. В методе ЭФ баллистический транспорт электронов на циклотронной траектории сохраняет неоднородное угловое распределение дифрагированных электронов, которое проявляется на фоне первой линии ЭФ в виде дополнительных максимумов. Положение максимумов и их смещение по магнитному полю при изменении энергии электронов соответствует теоретическим расчетам. |
|---|