Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.

Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.

Показано, что тонкая структура линии поперечной электронной фокусировки (ЭФ) в кристалле висмута связана с явлением дифракции электронного потока, втекающего в кристалл через микроконтакт. В методе ЭФ баллистический транспорт электронов на циклотронной траектории сохраняет неоднородное угловое распр...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1996
Автори: Комник, Ю.Ф., Андриевский, В.В, Рожок, С.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Электpонные свойства металлов и сплавов
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175551
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты./ Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1406-1417. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-175551
record_format dspace
spelling irk-123456789-1755512021-02-02T01:27:45Z Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты. Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В, Рожок, С.В. Электpонные свойства металлов и сплавов Показано, что тонкая структура линии поперечной электронной фокусировки (ЭФ) в кристалле висмута связана с явлением дифракции электронного потока, втекающего в кристалл через микроконтакт. В методе ЭФ баллистический транспорт электронов на циклотронной траектории сохраняет неоднородное угловое распределение дифрагированных электронов, которое проявляется на фоне первой линии ЭФ в виде дополнительных максимумов. Положение максимумов и их смещение по магнитному полю при изменении энергии электронов соответствует теоретическим расчетам. Показано, що тонка структура лінії поперечної електронної фокусировки (ЕФ) в кристалі висмуту зв'язана з появою дифракції електронного потоку, який тече в кристал через мікроконтакт. В методі ЕФ балістичний транспорт електронів на циклотронній траєкторії зберігає неоднорідний кутовий розподіл дифрагованих електронів, який з'являється на фоні першої лінії ЕФ у вигляді додаткових максимумів. Становище максимумів та їх зміщення по магнітному полю при зміні енергії електронів відповідає теоретичним розрахункам. 11 is shown that the fine structure of the transverse electron focusing (EF) line in bismuth crystal is determined by diffraction of the electron flow injected into the crystal through a point contact. In the EF method, ballistic transporl of the electrons along cyclotron trajectory retains unhomogeneous angular distribuiion of the electrons diffracied. This is seen as extra peaks against the background of the first EF line. The positions of the peaks and their shift in the magnetic field with the electron energy correspond to theoretical calculations. 1996 Article Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты./ Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1406-1417. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. 0132-6414 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175551 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Электpонные свойства металлов и сплавов
Электpонные свойства металлов и сплавов
spellingShingle Электpонные свойства металлов и сплавов
Электpонные свойства металлов и сплавов
Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В,
Рожок, С.В.
Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
Физика низких температур
description Показано, что тонкая структура линии поперечной электронной фокусировки (ЭФ) в кристалле висмута связана с явлением дифракции электронного потока, втекающего в кристалл через микроконтакт. В методе ЭФ баллистический транспорт электронов на циклотронной траектории сохраняет неоднородное угловое распределение дифрагированных электронов, которое проявляется на фоне первой линии ЭФ в виде дополнительных максимумов. Положение максимумов и их смещение по магнитному полю при изменении энергии электронов соответствует теоретическим расчетам.
format Article
author Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В,
Рожок, С.В.
author_facet Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В,
Рожок, С.В.
author_sort Комник, Ю.Ф.
title Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
title_short Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
title_full Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
title_fullStr Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
title_full_unstemmed Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.
title_sort тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. i. квантовые эффекты.
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 1996
topic_facet Электpонные свойства металлов и сплавов
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175551
citation_txt Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты./ Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1406-1417. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT komnikûf tonkaâstrukturalinijpoperečnojélektronnojfokusirovkivvismuteikvantovyeéffekty
AT andrievskijvv tonkaâstrukturalinijpoperečnojélektronnojfokusirovkivvismuteikvantovyeéffekty
AT rožoksv tonkaâstrukturalinijpoperečnojélektronnojfokusirovkivvismuteikvantovyeéffekty
first_indexed 2023-10-18T22:39:05Z
last_indexed 2023-10-18T22:39:05Z
_version_ 1796156077077692416

Схожі ресурси