2025-02-24T01:30:33-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-175559%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T01:30:33-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-175559%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T01:30:33-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-24T01:30:33-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Влияние структурной неравновесности и температуры на фотоиндуцированные изменения оптического пропускания пленки YBa₂Cu₃O₆,₃₅
В области низких температур Т < 125 К и при слабых световых потоках (~10¹³ фотон/см² • c) обнаружены сильные (~25%) фотоиндуцированные изменения оптического пропускания пленки YBa₂Cu₃O₆,₃₅ , нелинейно зависящие от времени облучения. Исследуются условия перехода нелинейных изменений пропускания к...
Saved in:
Main Authors: | , , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
Series: | Физика низких температур |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175559 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Summary: | В области низких температур Т < 125 К и при слабых световых потоках (~10¹³ фотон/см² • c) обнаружены сильные (~25%) фотоиндуцированные изменения оптического пропускания пленки YBa₂Cu₃O₆,₃₅ , нелинейно зависящие от времени облучения. Исследуются условия перехода нелинейных изменений пропускания к линейному закону. Анализ эффекта, основанный на взаимосвязи интенсивности оптических переходов с изменением концентрации электронов (дырок) в плоскости СuО₂ , позволил сделать выводы, что: критическим условием для эффективной фотонакачки носителей при слабых дозах облучения и при низких температурах является степень ортонеравновесности образца; в режиме нелинейных фотоиндуцированных изменений фотонакачка ускоряет релаксацию к равновесному ортоупорядочению в цепочках СuОх ; при фотодопировании световыми потоками выше порога металлизации работают одновременно два канала перехода электронов из СuО₂ в СuОх — один для фотоэлектронов, а другой для электронов с уровня Ферми плоскости СuО₂ . При 125 К в сильно накачанной пленке существует структурный переход порядок — беспорядок, при котором происходит сброс фотонакачанных электронов (дырок) при повышении температуры. |
---|