Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием

Измерялась проводимость и подвижность носителей в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в области температур 0,5-1,8 Кв прижимающих электрических полях до 2,5 кВ/см. Система квазиодномерных каналов создавалась с использованием оптических дифракционных решеток высокого качества, раз...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	1997
Автори:	Николаенко, В.А., Яяма, Х., Ковдря, Ю.З., Томокийо, А.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Электpонные системы над жидким гелием
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175575
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием / В.А. Николаенко, Ю.З. Ковдря, Х. Яяма, А. Томокийо // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 642-648. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-175575
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1755752021-02-02T01:27:43Z Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием Николаенко, В.А. Яяма, Х. Ковдря, Ю.З. Томокийо, А. Электpонные системы над жидким гелием Измерялась проводимость и подвижность носителей в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в области температур 0,5-1,8 Кв прижимающих электрических полях до 2,5 кВ/см. Система квазиодномерных каналов создавалась с использованием оптических дифракционных решеток высокого качества, размещающихся на некоторой высоте h над жидким гелием, который под действием капиллярных сил затекал в бороздки решеток и образовывал одномерные жидкие каналы. Показано, что подвижность электронов уменьшается с увеличением h, при этом подвижность оказывается меньше аналогичной величины для массивного гелия. С понижением температуры подвижность сначала возрастает, проходит через максимум и затем начинает падать. Обнаруженные эффекты обьясняются локализацией носителей в квазиодномерных электронных системах. Вимірювалась провідність та рухливість носіїв у квазіодновимірній електронній системі над рідким гелієм в області температур 0,5-1,8 К в притискуючих електричних полях до 2,5 кВ/см. Систему квазіодновимірних каналів було реалізовано з використанням оптичних дифракційних граток високої якості, які розміщувались на деякій висоті h над поверхнею рідкого гелію, який затікав під дією капіляриих сил у борозни гратки і створював одновимірні рідкі канали. Показано, що рухливість електронів зменшується із збільшенням висоти h, при цьому рухливість виявляється меншою ніж аналогічна величина для масивного гелію. Рухливість зростає з пониженням температури, проходить максимум та починає падати. Виявлені ефекти пояснюються локалізацією носіїв у квазіодновимірних електронних системах. The conductivity and mobility of charge carriers in a quasi-one-dimensional electron system over liquid helium is measured in the temperature range 0.5–1.8 K in confining electric fields up to 2.5 kV/cm. The system of quasi-one-dimensional channels is constructed by using high-quality optical diffraction gratings arranged at a certain height h over liquid helium which fill the grooves of the gratings, thus creating one-dimensional liquid channels. It is shown that the electron mobility decreases with increasing h, the value of the mobility being smaller than the corresponding value for bulk helium. As the temperature decreases, the mobility increases, passes through a peak, and then decreases. The observed effects can be explained by localization of charge carriers in quasi-one-dimensional electron systems. 1997 Article Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием / В.А. Николаенко, Ю.З. Ковдря, Х. Яяма, А. Томокийо // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 642-648. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 67.40.Jg, 73.20.Dx, 73.20.Fz http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175575 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Электpонные системы над жидким гелием Электpонные системы над жидким гелием
spellingShingle	Электpонные системы над жидким гелием Электpонные системы над жидким гелием Николаенко, В.А. Яяма, Х. Ковдря, Ю.З. Томокийо, А. Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием Физика низких температур
description	Измерялась проводимость и подвижность носителей в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в области температур 0,5-1,8 Кв прижимающих электрических полях до 2,5 кВ/см. Система квазиодномерных каналов создавалась с использованием оптических дифракционных решеток высокого качества, размещающихся на некоторой высоте h над жидким гелием, который под действием капиллярных сил затекал в бороздки решеток и образовывал одномерные жидкие каналы. Показано, что подвижность электронов уменьшается с увеличением h, при этом подвижность оказывается меньше аналогичной величины для массивного гелия. С понижением температуры подвижность сначала возрастает, проходит через максимум и затем начинает падать. Обнаруженные эффекты обьясняются локализацией носителей в квазиодномерных электронных системах.
format	Article
author	Николаенко, В.А. Яяма, Х. Ковдря, Ю.З. Томокийо, А.
author_facet	Николаенко, В.А. Яяма, Х. Ковдря, Ю.З. Томокийо, А.
author_sort	Николаенко, В.А.
title	Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием
title_short	Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием
title_full	Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием
title_fullStr	Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием
title_full_unstemmed	Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием
title_sort	подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	1997
topic_facet	Электpонные системы над жидким гелием
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175575
citation_txt	Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием / В.А. Николаенко, Ю.З. Ковдря, Х. Яяма, А. Томокийо // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 642-648. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT nikolaenkova podvižnostʹilokalizaciânositelejvkvaziodnomepnojélektponnojsistemenadžidkimgeliem AT ââmah podvižnostʹilokalizaciânositelejvkvaziodnomepnojélektponnojsistemenadžidkimgeliem AT kovdrâûz podvižnostʹilokalizaciânositelejvkvaziodnomepnojélektponnojsistemenadžidkimgeliem AT tomokijoa podvižnostʹilokalizaciânositelejvkvaziodnomepnojélektponnojsistemenadžidkimgeliem
first_indexed	2023-10-18T22:39:09Z
last_indexed	2023-10-18T22:39:09Z
_version_	1796156079426502656

Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием

Репозиторії

Схожі ресурси