Тензоp высокочастотной пpоводимости двумеpного электpонного газа с пpимесными состояниями электpонов в магнитном поле

Тензоp высокочастотной пpоводимости двумеpного электpонного газа с пpимесными состояниями электpонов в магнитном поле

Метод локальных возмущений И. М. Лифшица использован для изучения свойств двумерной электрон- примесной системы в квантующем магнитном поле, перпендикулярном плоскости движения электронов. В модели независимых точечных примесных атомов вычислен тензор высокочастотной проводимости системы с учетом пр...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1997
Автори: Грейзеп, Н.В., Ермолаев, А.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Специальный выпуск Памяти Лифшица И.М.
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175606
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Тензоp высокочастотной пpоводимости двумеpного электpонного газа с пpимесными состояниями электpонов в магнитном поле / Н.В. Глейзер, А.М. Ермолаев // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 1. — С. 73-78. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-175606
record_format dspace
spelling irk-123456789-1756062021-02-03T01:28:22Z Тензоp высокочастотной пpоводимости двумеpного электpонного газа с пpимесными состояниями электpонов в магнитном поле Грейзеп, Н.В. Ермолаев, А.М. Специальный выпуск Памяти Лифшица И.М. Метод локальных возмущений И. М. Лифшица использован для изучения свойств двумерной электрон- примесной системы в квантующем магнитном поле, перпендикулярном плоскости движения электронов. В модели независимых точечных примесных атомов вычислен тензор высокочастотной проводимости системы с учетом примесных состояний электронов и пространственной дисперсии. Диссипативная часть проводимости имеет узкие резонансные максимумы на частотах переходов электронов между уровнями Ландау и локальными уровнями, индуцированных электромагнитным полем. В отсутствие магнитного поля эти максимумы сливаются в один широкий максимум, расположенный выше пороговой частоты переходов электронов с локальною уровня в зону. Численные значения величин максимумов получены для полупроводниковых структур с двумерным электронным газом. Метод локальних збурень І. М. Ліфшиця використано для вивчення властивостей двовимірної електрон-домішкової системи у квантуючому магнітному полі, перпендикулярному площині руху електронів. В моделі незалежних точкових домішкових атомів обчислено тензор високочастотної провідності системи з врахуванням домішкових станів електронів і просторової дисперсії. Дисипативна частина провідності має вузькі резонансні максимуми на частотах переходів електронів між рівнями Ландау і локальними рівнями, індукованих електромагнітним полем. У відсутності магнітного поля ці максимуми зливаються в один широкий максимум, розташований вище порогової частоти переходів електронів з локального рівня в зону. Чисельні значення величин максимумів одержано для напівпровідникових структур з двовимірним електронним газом. I. M. Lifshitz's method of local perturbations is used to study the properties of a two-dimensional electron- impurity system in a quantizing magnetic field perpendicular to the plane of electron motion. The tensor of the high-frequency conductivity of the system is calculated within the model of independent impurity point atoms taking into account the impurity states of the electrons and the spatial dispersion. The dissipative part of the conductivity has narrow maxima at the frequencies of the electron transitions between the Landau levels and local levels induced by the electromagnetic field. In the absence of a magnetic field the maxima merge producing a wide maximum which is above the threshold frequency of the electron transitions from the local levels to the band. The maxima are calculated numerically for semiconductor structures with two-dimensional electron gas. 1997 Article Тензоp высокочастотной пpоводимости двумеpного электpонного газа с пpимесными состояниями электpонов в магнитном поле / Н.В. Глейзер, А.М. Ермолаев // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 1. — С. 73-78. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0132-6414 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175606 PACS: 71.55.-i; 72.30.+q ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Специальный выпуск Памяти Лифшица И.М.
Специальный выпуск Памяти Лифшица И.М.
spellingShingle Специальный выпуск Памяти Лифшица И.М.
Специальный выпуск Памяти Лифшица И.М.
Грейзеп, Н.В.
Ермолаев, А.М.
Тензоp высокочастотной пpоводимости двумеpного электpонного газа с пpимесными состояниями электpонов в магнитном поле
Физика низких температур
description Метод локальных возмущений И. М. Лифшица использован для изучения свойств двумерной электрон- примесной системы в квантующем магнитном поле, перпендикулярном плоскости движения электронов. В модели независимых точечных примесных атомов вычислен тензор высокочастотной проводимости системы с учетом примесных состояний электронов и пространственной дисперсии. Диссипативная часть проводимости имеет узкие резонансные максимумы на частотах переходов электронов между уровнями Ландау и локальными уровнями, индуцированных электромагнитным полем. В отсутствие магнитного поля эти максимумы сливаются в один широкий максимум, расположенный выше пороговой частоты переходов электронов с локальною уровня в зону. Численные значения величин максимумов получены для полупроводниковых структур с двумерным электронным газом.
format Article
author Грейзеп, Н.В.
Ермолаев, А.М.
author_facet Грейзеп, Н.В.
Ермолаев, А.М.
author_sort Грейзеп, Н.В.
title Тензоp высокочастотной пpоводимости двумеpного электpонного газа с пpимесными состояниями электpонов в магнитном поле
title_short Тензоp высокочастотной пpоводимости двумеpного электpонного газа с пpимесными состояниями электpонов в магнитном поле
title_full Тензоp высокочастотной пpоводимости двумеpного электpонного газа с пpимесными состояниями электpонов в магнитном поле
title_fullStr Тензоp высокочастотной пpоводимости двумеpного электpонного газа с пpимесными состояниями электpонов в магнитном поле
title_full_unstemmed Тензоp высокочастотной пpоводимости двумеpного электpонного газа с пpимесными состояниями электpонов в магнитном поле
title_sort тензоp высокочастотной пpоводимости двумеpного электpонного газа с пpимесными состояниями электpонов в магнитном поле
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 1997
topic_facet Специальный выпуск Памяти Лифшица И.М.
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175606
citation_txt Тензоp высокочастотной пpоводимости двумеpного электpонного газа с пpимесными состояниями электpонов в магнитном поле / Н.В. Глейзер, А.М. Ермолаев // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 1. — С. 73-78. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT grejzepnv tenzopvysokočastotnojppovodimostidvumepnogoélektponnogogazasppimesnymisostoâniâmiélektponovvmagnitnompole
AT ermolaevam tenzopvysokočastotnojppovodimostidvumepnogoélektponnogogazasppimesnymisostoâniâmiélektponovvmagnitnompole
first_indexed 2023-10-18T22:39:13Z
last_indexed 2023-10-18T22:39:13Z
_version_ 1796156082711691264

Схожі ресурси