Остаточное низкотемпературное сопротивление и особенности инфракрасного поглощения сверхпроводника YBa₂Cu₃O₆₊x как проявление длинномасштабного потенциального рельефа

Изучаются явления разной физической природы, обусловленные длинномасштабным потенциальным рельефом, создаваемым в проводящей плоскости отрицательными ионами примесного кислорода. Длинномасштабный потенциал порождает вторичную электронную структуру, ответственную за рассматриваемые явления. Экспериме...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1997
Автори: Еременко, В.В., Качур, И.С., Пирятинская, В.Г., Ратнер, А.М., Шапиро, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175733
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Остаточное низкотемпературное сопротивление и особенности инфракрасного поглощения сверхпроводника YBa₂Cu₃O₆₊x как проявление длинномасштабного потенциального рельефа / В.В. Еременко, И.С. Качур, В.Г. Пирятинская, А.М. Ратнер, В.В. Шапиро // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 2. — С. 146-158. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Изучаются явления разной физической природы, обусловленные длинномасштабным потенциальным рельефом, создаваемым в проводящей плоскости отрицательными ионами примесного кислорода. Длинномасштабный потенциал порождает вторичную электронную структуру, ответственную за рассматриваемые явления. Экспериментально установлена связь между остаточной низкотемпературной резистивностью и вторичной структурой. Высокая чувствительность остаточной резистивности к фотооблучению, изменяющему длинномасштабный потенциал, и возрастание ее с понижением температуры позволяют сделать предположение о низкотемпературной локализации дырок в длинномасштабных потенциальных ямах. Рассмотрены оптические переходы между уровнями вторичной структуры, отличающиеся от других оптических переходов значительно большей вероятностью и высокой чувствительностью к форме длинномасштабной ямы. Результаты рассмотрения качественно согласуются с литературными данными о спектрах поглощения света.