О конкуренции между s- и d-типами симметрии параметра порядка в высокотемпературных сверхпроводниках
Показано, что сильная анизотропия квазидвумерною электронного спектра в высокотемпературных сверхпроводниках и конкуренция между притяжением и отталкиванием в межэлектронном взаимодействии могут приводить либо к анизотропному s-, либо к d-типу куперовскою спаривания, в зависимости от параметров сист...
Збережено в:
Дата: | 1997 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175737 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | О конкуренции между s- и d-типами симметрии параметра порядка в высокотемпературных сверхпроводниках / Э.А. Пашицкий, В.И. Пентегов, А.В. Семенов // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 2. — С. 140-145. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Показано, что сильная анизотропия квазидвумерною электронного спектра в высокотемпературных сверхпроводниках и конкуренция между притяжением и отталкиванием в межэлектронном взаимодействии могут приводить либо к анизотропному s-, либо к d-типу куперовскою спаривания, в зависимости от параметров системы. В случае преобладающею притяжения на всей ферми-поверхности (например, за счет электрон-фононного взаимодействия) энергетически выгодна sxy₋ или в s*-симметрия сверхпроводящего параметра порядка. В то же время dx²₋y² -симметрия щели реализуется как при отталкивании во всем объеме зоны Бриллюэна (характерном, например, для электрон-магнонного взаимодействия), так и при эффективном притяжении на участках ферми-поверхности с максимальной плотностью состояний. В последнем случае критическая температура сверхпроводящего перехода Tc всегда выше, чем в первом, что указывает на важную роль дополнительною притяжения в механизме высокотемпературной сверхпроводимости. |
---|