2025-02-23T10:51:08-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-175737%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T10:51:08-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-175737%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T10:51:08-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T10:51:08-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

О конкуренции между s- и d-типами симметрии параметра порядка в высокотемпературных сверхпроводниках

Показано, что сильная анизотропия квазидвумерною электронного спектра в высокотемпературных сверхпроводниках и конкуренция между притяжением и отталкиванием в межэлектронном взаимодействии могут приводить либо к анизотропному s-, либо к d-типу куперовскою спаривания, в зависимости от параметров сист...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Пашицкий, Э.А., Пентегов, В.И., Семенов, А.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
Series:Физика низких температур
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175737
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Показано, что сильная анизотропия квазидвумерною электронного спектра в высокотемпературных сверхпроводниках и конкуренция между притяжением и отталкиванием в межэлектронном взаимодействии могут приводить либо к анизотропному s-, либо к d-типу куперовскою спаривания, в зависимости от параметров системы. В случае преобладающею притяжения на всей ферми-поверхности (например, за счет электрон-фононного взаимодействия) энергетически выгодна sxy₋ или в s*-симметрия сверхпроводящего параметра порядка. В то же время dx²₋y² -симметрия щели реализуется как при отталкивании во всем объеме зоны Бриллюэна (характерном, например, для электрон-магнонного взаимодействия), так и при эффективном притяжении на участках ферми-поверхности с максимальной плотностью состояний. В последнем случае критическая температура сверхпроводящего перехода Tc всегда выше, чем в первом, что указывает на важную роль дополнительною притяжения в механизме высокотемпературной сверхпроводимости.