Туннелирование неравновесных квазичастиц, возбуждаемых рентгеновскими квантами в несимметричном свеpхпpоводящем туннельном детекторе

Проведено исследование амплитудного распределения сигналов, регистрируемых несимметричным сверхпроводящим туннельным переходом Nb/Al/AlONₓb при облучении рентгеновскими квантами от источника ⁵⁵Fe. При малых напряжениях смещения обнаружены сигналы противоположной полярности, возникающие в различных э...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1997
Автори: Андpианов, В.А., Козин, М.Г., Сеpгеев, С.А., Шпинель, В.С., Кошелец, В.П., Абpамова, И.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175750
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Туннелирование неравновесных квазичастиц, возбуждаемых рентгеновскими квантами в несимметричном свеpхпpоводящем туннельном детекторе / В.А. Андpианов, М.Г. Козин, С.А. Сеpгеев, В.С. Шпинель, В.П. Кошелец, И.В. Абpамова // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 11. — С. 1187-1194. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Проведено исследование амплитудного распределения сигналов, регистрируемых несимметричным сверхпроводящим туннельным переходом Nb/Al/AlONₓb при облучении рентгеновскими квантами от источника ⁵⁵Fe. При малых напряжениях смещения обнаружены сигналы противоположной полярности, возникающие в различных электродах туннельного перехода при поглощении. Это позволило получить для каждого электрода амплитудные спектры, имеющие существенно разную форму. Изучена зависимость максимального собираемого заряда от напряжения смещения, получены коэффициенты диффузии, эффективные времена жизни и вероятность рекомбинации квазичастиц. Обнаружено усиление сбора квазичастиц при увеличении напряженности магнитного поля.