Пространственное распределение захваченного магнитного потока в цилиндрических ВТСП
Продемонстрирована "эволюция" магнитного поля, захваченного Y–Ba–Cu–O керамикой, от очень слабого до сильных внешних магнитных полей. Показана важность учета пространственного распределения захваченного магнитного поля в выборе моделей, адекватно описывающих остаточную намагниченность Y–Ba...
Збережено в:
Дата: | 1996 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175790 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Пространственное распределение захваченного магнитного потока в цилиндрических ВТСП / Х.Р. Ростами, В.В. Манторов, В.И. Омельченко // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 7. — С. 736-741. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Продемонстрирована "эволюция" магнитного поля, захваченного Y–Ba–Cu–O керамикой, от очень слабого до сильных внешних магнитных полей. Показана важность учета пространственного распределения захваченного магнитного поля в выборе моделей, адекватно описывающих остаточную намагниченность Y–Ba–Cu–O керамики в широком диапазоне внешних магнитных полей. Обнаружено, что в области низких полей H0 ⩽ 50 Э намагниченность количественно хорошо описывается моделью Бина, а в области полей H0 e 1 кЭ — моделью однородной намагниченности. В диапазоне полей 50 Э < H0 < 1 кЭ прослеживается плавный переход из области применимости одной модели в область применимости другой. На основании проведенных бесконтактных измерений оценены величины плотности внутригранульного и межгранульного токов, сил пиннинга абрикосовского и джозефсоновского вихрей. Полученные данные хорошо согласуются с известными результатами. Пpедложен новый экспpесс-метод диагностики и контpоля технологии В¦їП матеpиалов. |
---|