Электронная структура и оптические свойства соединений GdNi₂Mnx
Проведены исследования электронной структуры и оптических свойств соединений GdNi₂Mnx (x = 0, 0,4, 0,6). В приближении локальной электронной спиновой плотности с поправкой на сильные электронные взаимодействия в рамках метода LSDA + U выполнены спин-поляризованные расчеты электронной структуры. Опре...
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2018
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175854 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Электронная структура и оптические свойства соединений GdNi₂Mnx / Ю.В. Князев, А.В. Лукоянов, Ю.И. Кузьмин, В.С. Гавико // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 2. — С. 208-213. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Проведены исследования электронной структуры и оптических свойств соединений GdNi₂Mnx (x = 0, 0,4, 0,6). В приближении локальной электронной спиновой плотности с поправкой на сильные электронные взаимодействия в рамках метода LSDA + U выполнены спин-поляризованные расчеты электронной структуры. Определены изменения магнитных моментов и обменных взаимодействий в GdNi₂Mnx (x = 0, 0,4, 0,6), определяющие рост температуры Кюри при изменении содержания марганца. В широком спектральном интервале 0,22–15 мкм эллипсометрическим методом измерены оптические постоянные соединений. Установлены особенности модификации частотных зависимостей оптической проводимости при изменении содержания марганца. На основе рассчитанных плотностей электронных состояний обсуждается поведение данных дисперсионных кривых в области межзонного поглощения света. Найдены концентрационные зависимости ряда электронных характеристик. |
---|