Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ

• Дата: 2019
• Автори: Клепикова, А.С., Попов, М.Р., Иванов, А.А., Медведев, М.В., Чарикова, Т.Б.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2019
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Спеціальний випуск. «XXII Уральська міжнародна зимова школа з фізики напівпровідників» (20–23 лютого, 2018)
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175958
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Анизотропия плотности критического тока в слоистом электронно-легированном сверхпроводнике Nd₂–xCexCuO₄+δ / А.С. Клепикова, М.Р. Попов, А.А. Иванов, М.В. Медведев, Т.Б. Чарикова // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 2. — С. 245-250. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Представлены результаты исследования проводимости и плотности критического тока монокристаллических пленок Nd₂–xCexCuO₄+δ/SrTiO₃ с осью c, перпендикулярной или параллельной плоскости подложки, с концентрацией церия x = 0,15 и x = 0,17. Обнаружено, что в стехиометрически отожженных пленках с оптимальным содержанием церия (x = 0,15) величина анизотропии сопротивления максимальна, а анизотропия плотности критического тока составила 3 / 3 10 ab c c c j j ≅ ⋅ при T = 4,2 К. Сильная анизотропия плотности критического тока рассмотрена в рамках модели естественной сверхрешетки с чередующимися проводящими CuO₂-слоями и непроводящими буферными Nd(Ce)O-слоями. Показано, что высокая плотность критического тока вдоль проводящих CuO₂-плоскостей связана с пиннингом вихрей на буферных слоях, а сильная анизотропия плотности критического тока является следствием анизотропного движения вихревой решетки в слоистом сверхпроводнике.