Статистика фотоотсчетов сверхпроводникового однофотонного детектора из трехслойной пленки WSi

Сверхпроводниковые однофотонные детекторы (SNSPD) успешно применяются в квантовой оптике, когда требуется рекордное временное разрешение, высокое быстродействие и рекордно низкий уровень темнового счета (ложных срабатываний). Однако эффективность детектирования SNSPD ограничена коэффициентом поглоще...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Флоря, И.Н., Корнеева, Ю.П., Михайлов, М.Ю., Девизенко, А.Ю., Корнеев, А.А., Гольцман, Г.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2018
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175975
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Статистика фотоотсчетов сверхпроводникового однофотонного детектора из трехслойной пленки WSi / И.Н. Флоря, Ю.П. Корнеева, М.Ю. Михайлов, А.Ю. Девизенко, А.А. Корнеев, Г.Н. Гольцман // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 3. — С. 292-297. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-175975
record_format dspace
spelling irk-123456789-1759752021-02-04T01:30:16Z Статистика фотоотсчетов сверхпроводникового однофотонного детектора из трехслойной пленки WSi Флоря, И.Н. Корнеева, Ю.П. Михайлов, М.Ю. Девизенко, А.Ю. Корнеев, А.А. Гольцман, Г.Н. Сверхпроводимость и низкотемпературная микроэлектроника Сверхпроводниковые однофотонные детекторы (SNSPD) успешно применяются в квантовой оптике, когда требуется рекордное временное разрешение, высокое быстродействие и рекордно низкий уровень темнового счета (ложных срабатываний). Однако эффективность детектирования SNSPD ограничена коэффициентом поглощения излучения ультратонкой пленкой сверхпроводника. Один из перспективных способов увеличить поглощение в детекторе, не ограничивая его широкополосности, — изготовить детектор в виде нескольких слоев, расположенных друг над другом, и соединить их параллельно. Нами впервые исследовано однофотонное детектирование в многослойной структуре, состоящей из трех сверхпроводящих слоев аморфного силицида вольфрама (WSi), разделенных тонкими слоями аморфного кремния. Продемонстрированы два режима работы детектора: режим лавины (avalanche regime) и триггерный (arm-trigger regime) режим, а также определено, что смена режимов происходит в интервале токов ~ 0,5–0,6 от критического тока детектора. Надпровідникові однофотонні детектори (SNSPD) успішно застосовуються в квантовій оптиці, коли потрібна рекордна часова роздільність, висока швидкодія і рекордно низький рівень темнових відліків (помилкових спрацьовувань). Однак ефективність детектування SNSPD обмежена коефіцієнтом поглинання випромінювання ультратонкою плівкою надпровідника. Один з перспективних способів збільшити поглинання в детекторі, не обмежуючи його широкосмуговості, — виготовити детектор у вигляді декількох шарів, розташованих один над одним, і з'єднати їх паралельно. Нами вперше досліджено однофотонне детектування в багатошаровій структурі, що складається з трьох надпровідних шарів аморфного силіциду вольфраму (WSi), що розділені тонкими шарами аморфного кремнію. Продемонстровано два режими роботи детектора: режим лавини (avalanche regime) та тригерний (arm-trigger regime) режим, а також визначено, що зміна режимів відбувається в інтервалі струмів ~ 0,5–0,6 від критичного струму детектора Superconducting nanowire single-photon detectors (SNSPD) are successfully used in quantum optics, when a record-breaking time resolution, high speed and record low level of dark counts are required. However, the SNSPD detection efficiency is limited by the absorption coefficient of the radiation by the ultrathin superconducting film. One of the promising ways to increase the absorption in the detector without limiting its broadband is to make the detector in the form of several vertically stacked layers and connecting them in parallel. For the first time, we studied single-photon detection in a multilayer structure consisting of three superconducting layers of amorphous tungsten silicide (WSi) separated by thin layers of amorphous silicon. We demonstrated two modes of operation of the detector: the avalanche regime and the arm-trigger regime, and determined that the regime change occurs in the bias current range of ~ 0.5-0.6 of the detector superconducting critical current. 2018 Article Статистика фотоотсчетов сверхпроводникового однофотонного детектора из трехслойной пленки WSi / И.Н. Флоря, Ю.П. Корнеева, М.Ю. Михайлов, А.Ю. Девизенко, А.А. Корнеев, Г.Н. Гольцман // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 3. — С. 292-297. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. PACS: 74.78.-w, 85.25.Pb 0132-6414 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175975 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Сверхпроводимость и низкотемпературная микроэлектроника
Сверхпроводимость и низкотемпературная микроэлектроника
spellingShingle Сверхпроводимость и низкотемпературная микроэлектроника
Сверхпроводимость и низкотемпературная микроэлектроника
Флоря, И.Н.
Корнеева, Ю.П.
Михайлов, М.Ю.
Девизенко, А.Ю.
Корнеев, А.А.
Гольцман, Г.Н.
Статистика фотоотсчетов сверхпроводникового однофотонного детектора из трехслойной пленки WSi
Физика низких температур
description Сверхпроводниковые однофотонные детекторы (SNSPD) успешно применяются в квантовой оптике, когда требуется рекордное временное разрешение, высокое быстродействие и рекордно низкий уровень темнового счета (ложных срабатываний). Однако эффективность детектирования SNSPD ограничена коэффициентом поглощения излучения ультратонкой пленкой сверхпроводника. Один из перспективных способов увеличить поглощение в детекторе, не ограничивая его широкополосности, — изготовить детектор в виде нескольких слоев, расположенных друг над другом, и соединить их параллельно. Нами впервые исследовано однофотонное детектирование в многослойной структуре, состоящей из трех сверхпроводящих слоев аморфного силицида вольфрама (WSi), разделенных тонкими слоями аморфного кремния. Продемонстрированы два режима работы детектора: режим лавины (avalanche regime) и триггерный (arm-trigger regime) режим, а также определено, что смена режимов происходит в интервале токов ~ 0,5–0,6 от критического тока детектора.
format Article
author Флоря, И.Н.
Корнеева, Ю.П.
Михайлов, М.Ю.
Девизенко, А.Ю.
Корнеев, А.А.
Гольцман, Г.Н.
author_facet Флоря, И.Н.
Корнеева, Ю.П.
Михайлов, М.Ю.
Девизенко, А.Ю.
Корнеев, А.А.
Гольцман, Г.Н.
author_sort Флоря, И.Н.
title Статистика фотоотсчетов сверхпроводникового однофотонного детектора из трехслойной пленки WSi
title_short Статистика фотоотсчетов сверхпроводникового однофотонного детектора из трехслойной пленки WSi
title_full Статистика фотоотсчетов сверхпроводникового однофотонного детектора из трехслойной пленки WSi
title_fullStr Статистика фотоотсчетов сверхпроводникового однофотонного детектора из трехслойной пленки WSi
title_full_unstemmed Статистика фотоотсчетов сверхпроводникового однофотонного детектора из трехслойной пленки WSi
title_sort статистика фотоотсчетов сверхпроводникового однофотонного детектора из трехслойной пленки wsi
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2018
topic_facet Сверхпроводимость и низкотемпературная микроэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175975
citation_txt Статистика фотоотсчетов сверхпроводникового однофотонного детектора из трехслойной пленки WSi / И.Н. Флоря, Ю.П. Корнеева, М.Ю. Михайлов, А.Ю. Девизенко, А.А. Корнеев, Г.Н. Гольцман // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 3. — С. 292-297. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT florâin statistikafotootsčetovsverhprovodnikovogoodnofotonnogodetektoraiztrehslojnojplenkiwsi
AT korneevaûp statistikafotootsčetovsverhprovodnikovogoodnofotonnogodetektoraiztrehslojnojplenkiwsi
AT mihajlovmû statistikafotootsčetovsverhprovodnikovogoodnofotonnogodetektoraiztrehslojnojplenkiwsi
AT devizenkoaû statistikafotootsčetovsverhprovodnikovogoodnofotonnogodetektoraiztrehslojnojplenkiwsi
AT korneevaa statistikafotootsčetovsverhprovodnikovogoodnofotonnogodetektoraiztrehslojnojplenkiwsi
AT golʹcmangn statistikafotootsčetovsverhprovodnikovogoodnofotonnogodetektoraiztrehslojnojplenkiwsi
first_indexed 2023-10-18T22:40:10Z
last_indexed 2023-10-18T22:40:10Z
_version_ 1796156123734081536