Релаксация давления и диффузия вакансий в быстро выращенных кристаллах гелия

При температурах выше 1,3 К проведено экспериментальное исследование особенностей релаксации давления в быстро выращенных кристаллах слабого твердого раствора ³He–⁴Не. Использовалась цилиндрическая измерительная ячейка, на торцах которой располагались емкостные датчики давления. Обнаружено, что при...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	Бирченко, А.П., Михин, Н.П., Рудавский, Э.Я., Смирнов, С.Н., Фисун, Я.Ю.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2018
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175987
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Релаксация давления и диффузия вакансий в быстро выращенных кристаллах гелия / А.П. Бирченко, Н.П. Михин, Э.Я. Рудавский, С.Н. Смирнов, Я.Ю. Фисун // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 4. — С. 402-417. — Бібліогр.: 31 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-175987
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1759872021-02-04T01:31:23Z Релаксация давления и диффузия вакансий в быстро выращенных кристаллах гелия Бирченко, А.П. Михин, Н.П. Рудавский, Э.Я. Смирнов, С.Н. Фисун, Я.Ю. Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы При температурах выше 1,3 К проведено экспериментальное исследование особенностей релаксации давления в быстро выращенных кристаллах слабого твердого раствора ³He–⁴Не. Использовалась цилиндрическая измерительная ячейка, на торцах которой располагались емкостные датчики давления. Обнаружено, что при выращивании кристаллов гелия со скоростями охлаждения ≳4 мК/c разность давлений ΔР, регистрируемая датчиками при 1,3 К, достигала 2,4 бар. При последующем ступенчатом повышении температуры величина ΔР уменьшалась, но достигала нуля лишь после тщательного отжига при предплавильных температурах. Зарегистрирована кинетика изменения давлений на торцах образца при разных температурах. Полученные результаты интерпретируются в рамках моновакансионной модели диффузионного механизма структурной релаксации. Предложенная модель позволила объяснить зарегистрированную в эксперименте зависимость ΔР от времени и температуры, найти энергию активации процесса структурной релаксации и коэффициент диффузии вакансий. Детали вакансионной модели описаны в приложении. При температурах вище 1,3 К проведено експериментальне дослідження особливостей релаксації тиску у швидко вирощених кристалах слабкого твердого розчину ³He–⁴Не. Було використано циліндричну вимірювальну комірку, на торцях якої розміщувались ємнісні датчики тиску. Виявлено, що при вирощуванні кристалів гелію зі швидкістю охолодження  4 мК/c різниця тисків ΔР, що реєструється датчиками при 1,3 К, досягала 2,4 бар. При наступному ступінчастому підвищенні температури величина ΔР зменшувалась, але досягала нуля лише після ретельного відпалу за передплавильних температур. Зареєстрована кінетика зміни тисків на торцях кристалу при різних температурах. Одержані результати інтерпретуються у рамках моновакансійної моделі дифузійного механізму структурної релаксації. Запропонована модель дозволила пояснити зареєстровану в експерименті залежність ΔР від часу та температури, знайти енергію активації процесу структурної релаксації та коефіцієнт дифузії вакансій. Деталі вакансійної моделі приведені у додатку. An experimental study of the features of pressure relaxation in rapidly grown crystals of a dilute solution of ³He–⁴Не was carried out at temperatures above 1.3 K. A cylindrical cell with capacitive pressure sensors at the ends was used for measuring. It was found that at the growth of the helium crystals at the cooling rate higher 4 mK/s, the pressure difference ΔP detected by the sensors at 1.3 K reached 2.4 bar. With a subsequent stepwise increase in temperature, the ΔP value decreased, but disappeared only after careful annealing at the pre-melting temperatures. The kinetics of pressure change at the ends of the sample at different temperatures is recorded. The obtained results are interpreted within the framework of the monovacancy model of the diffusion mechanism of structural relaxation. The proposed model made it possible to explain the dependence of ΔP on the time and temperature recorded in the experiment, to find the activation energy of the structural relaxation process and the diffusion coefficient of vacancies. Details of the vacancy model are described in a special appendix. 2018 Article Релаксация давления и диффузия вакансий в быстро выращенных кристаллах гелия / А.П. Бирченко, Н.П. Михин, Э.Я. Рудавский, С.Н. Смирнов, Я.Ю. Фисун // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 4. — С. 402-417. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. 0132-6414 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175987 PACS: 67.80.dj, 67.60.–g, 67.80.−s ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
spellingShingle	Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы Бирченко, А.П. Михин, Н.П. Рудавский, Э.Я. Смирнов, С.Н. Фисун, Я.Ю. Релаксация давления и диффузия вакансий в быстро выращенных кристаллах гелия Физика низких температур
description	При температурах выше 1,3 К проведено экспериментальное исследование особенностей релаксации давления в быстро выращенных кристаллах слабого твердого раствора ³He–⁴Не. Использовалась цилиндрическая измерительная ячейка, на торцах которой располагались емкостные датчики давления. Обнаружено, что при выращивании кристаллов гелия со скоростями охлаждения ≳4 мК/c разность давлений ΔР, регистрируемая датчиками при 1,3 К, достигала 2,4 бар. При последующем ступенчатом повышении температуры величина ΔР уменьшалась, но достигала нуля лишь после тщательного отжига при предплавильных температурах. Зарегистрирована кинетика изменения давлений на торцах образца при разных температурах. Полученные результаты интерпретируются в рамках моновакансионной модели диффузионного механизма структурной релаксации. Предложенная модель позволила объяснить зарегистрированную в эксперименте зависимость ΔР от времени и температуры, найти энергию активации процесса структурной релаксации и коэффициент диффузии вакансий. Детали вакансионной модели описаны в приложении.
format	Article
author	Бирченко, А.П. Михин, Н.П. Рудавский, Э.Я. Смирнов, С.Н. Фисун, Я.Ю.
author_facet	Бирченко, А.П. Михин, Н.П. Рудавский, Э.Я. Смирнов, С.Н. Фисун, Я.Ю.
author_sort	Бирченко, А.П.
title	Релаксация давления и диффузия вакансий в быстро выращенных кристаллах гелия
title_short	Релаксация давления и диффузия вакансий в быстро выращенных кристаллах гелия
title_full	Релаксация давления и диффузия вакансий в быстро выращенных кристаллах гелия
title_fullStr	Релаксация давления и диффузия вакансий в быстро выращенных кристаллах гелия
title_full_unstemmed	Релаксация давления и диффузия вакансий в быстро выращенных кристаллах гелия
title_sort	релаксация давления и диффузия вакансий в быстро выращенных кристаллах гелия
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2018
topic_facet	Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175987
citation_txt	Релаксация давления и диффузия вакансий в быстро выращенных кристаллах гелия / А.П. Бирченко, Н.П. Михин, Э.Я. Рудавский, С.Н. Смирнов, Я.Ю. Фисун // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 4. — С. 402-417. — Бібліогр.: 31 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT birčenkoap relaksaciâdavleniâidiffuziâvakansijvbystrovyraŝennyhkristallahgeliâ AT mihinnp relaksaciâdavleniâidiffuziâvakansijvbystrovyraŝennyhkristallahgeliâ AT rudavskijéâ relaksaciâdavleniâidiffuziâvakansijvbystrovyraŝennyhkristallahgeliâ AT smirnovsn relaksaciâdavleniâidiffuziâvakansijvbystrovyraŝennyhkristallahgeliâ AT fisunâû relaksaciâdavleniâidiffuziâvakansijvbystrovyraŝennyhkristallahgeliâ
first_indexed	2023-10-18T22:40:11Z
last_indexed	2023-10-18T22:40:11Z
_version_	1796156125020684288

Релаксация давления и диффузия вакансий в быстро выращенных кристаллах гелия

Репозитарії

Схожі ресурси