Фазовые переходы и механизм сверхпроводимости в ВТСП оксидах
На основе анализа экспериментальных данных предложена физическая модель электронного упорядочения, механизма концентрационного фазового перехода диэлектрик — металл и механизма сверхпроводимости оксидных ВТСП. В рамках модели объяснены аномальные свойства этих материалов....
Збережено в:
Дата: | 1996 |
---|---|
Автори: | Аншукова, Н.В., Головашкин, А.И., Иванова, Л.И., Малючков, О.Т., Русаков, А.П. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176065 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Фазовые переходы и механизм сверхпроводимости в ВТСП оксидах / Н.В. Аншукова, А.И. Головашкин, Л.И. Иванова, О.Т. Малючков, А.П. Русаков // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 485-489. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости
за авторством: Дьяченко, А.И., та інші
Опубліковано: (1996) -
Особенности сверхпроводимости в 2D металлах: переход от куперовского спаривания к локальному
за авторством: Локтев, В.М.
Опубліковано: (1996) -
К вопросу о сверхпроводящем и нормальном состояниях ВТСП
за авторством: Абрамов, В.С.
Опубліковано: (1996) -
Модифицированный статистический метод и распределение электронного заряда в ВТСП
за авторством: Резник, И.М.
Опубліковано: (1996) -
Локализованные и квазинизкоразмерные фононы в многослойных кристаллах типа ВТСП
за авторством: Господарев, И.А., та інші
Опубліковано: (1996)