Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers

Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn to concentration 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ was studied in the temperature range 4.2–40 K and magnetic field up to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were observed in the...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2019
Автори: Druzhinin, A., Ostrovskii, I., Khoverko, Y., Liakh-Kaguy, N.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2019
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Низькотемпературний магнетизм
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176090
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, N. Liakh-Kaguy // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 5. — С. 599-604. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-176090
record_format dspace
spelling irk-123456789-1760902021-02-04T01:29:11Z Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers Druzhinin, A. Ostrovskii, I. Khoverko, Y. Liakh-Kaguy, N. Низькотемпературний магнетизм Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn to concentration 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ was studied in the temperature range 4.2–40 K and magnetic field up to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were observed in the strained and unstrained samples in all range of doping concentrations and magnetic fields. The character of longitudinal magnetoresistance dependences was analyzed and compared with theoretical one. The whisker magnetoresistance alters its sign with increasing magnetic field. It is positive at weak magnetic fields and becomes negative at higher magnetic fields. Possible mechanism of the large value of negative magnetoresistance (NMR) was discussed in the InSb whiskers with doping concentration in the vicinity to metal–insulator transition. The origin of large NMR was explained by the existence of classical size effect and boundary scattering during conductance in subsurface whisker layers. На основі досліджень поздовжнього магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb n-типу провідності, легованих Sn до концентрацій 6·10¹⁶–6·10¹⁷ см⁻³ , в інтервалі температур 4,2– 40 К і магнітних полів до 10 Тл виявлено осциляції Шубнікова–де Гааза в деформованих і недеформованих зразках. Проведено аналіз поведінки польових залежностей магнітоопору згідно відомих теоретичних уявлень. Встановлено, що з підвищенням індукції магнітного поля магнітоопір ниткоподібних кристалів InSb змінює свій знак від позитивного до від’ємного. Обговорюються механізми, які зумовлюють появу високих значень від’ємного магнітоопору (ВМО) у зразках InSb з концентрацією легуючої домішки, що відповідає близькості до переходу метал–діелектрик. Існування ВМО пов’язане з класичним розмірним ефектом, а також гранічним розсіюванням у провідності приповерхневих шарів мікрокристалів. На основе исследований продольного магнитосопротивления нитевидных кристаллов InSb n-типа проводимости, легированных Sn до концентраций 6·10¹⁶–6·10¹⁷ см⁻³ , в интервале температур 4,2–40 К и магнитных полей до 10 Тл обнаружены осцилляции Шубникова–де Гааза в деформированных и недеформированных образцах. Проведен анализ поведения полевых зависимостей магнитосопротивления согласно известным теоретическим представлениям. Установлено, что с повышением индукции магнитного поля магнитосопротивление нитевидных кристаллов InSb меняет свой знак от положительного к отрицательному. Обсуждаются механизмы, которые обусловливают появление высоких значений отрицательного магнитосопротивления (ОМС) в образцах InSb с концентрацией легирующей примеси, соответствующей близости к переходу металл–диэлектрик. Существование ОМС обусловлено классическим размерным эффектом, а также граничным рассеиванием в проводимости приповерхностных слоев микрокристаллов. 2019 Article Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, N. Liakh-Kaguy // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 5. — С. 599-604. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. 0132-6414 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176090 en Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
topic Низькотемпературний магнетизм
Низькотемпературний магнетизм
spellingShingle Низькотемпературний магнетизм
Низькотемпературний магнетизм
Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Y.
Liakh-Kaguy, N.
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
Физика низких температур
description Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn to concentration 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ was studied in the temperature range 4.2–40 K and magnetic field up to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were observed in the strained and unstrained samples in all range of doping concentrations and magnetic fields. The character of longitudinal magnetoresistance dependences was analyzed and compared with theoretical one. The whisker magnetoresistance alters its sign with increasing magnetic field. It is positive at weak magnetic fields and becomes negative at higher magnetic fields. Possible mechanism of the large value of negative magnetoresistance (NMR) was discussed in the InSb whiskers with doping concentration in the vicinity to metal–insulator transition. The origin of large NMR was explained by the existence of classical size effect and boundary scattering during conductance in subsurface whisker layers.
format Article
author Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Y.
Liakh-Kaguy, N.
author_facet Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Y.
Liakh-Kaguy, N.
author_sort Druzhinin, A.
title Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
title_short Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
title_full Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
title_fullStr Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
title_full_unstemmed Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
title_sort quantization in magnetoresistance of strained insb whiskers
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2019
topic_facet Низькотемпературний магнетизм
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176090
citation_txt Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, N. Liakh-Kaguy // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 5. — С. 599-604. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT druzhinina quantizationinmagnetoresistanceofstrainedinsbwhiskers
AT ostrovskiii quantizationinmagnetoresistanceofstrainedinsbwhiskers
AT khoverkoy quantizationinmagnetoresistanceofstrainedinsbwhiskers
AT liakhkaguyn quantizationinmagnetoresistanceofstrainedinsbwhiskers
first_indexed 2023-10-18T22:40:31Z
last_indexed 2023-10-18T22:40:31Z
_version_ 1796156135149928448

Схожі ресурси