О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях

• Видавець: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
• Дата: 1996
• Автор: Амелин, И.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Специальный выпуск Международная конференция "Сверхпроводимость. Физические аспекты"
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176131
• Цитувати: О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях / И.И. Амелин // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 539-542. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Из расчетов электронной структуры кластеров кристалла YBaCuO методом CNDO следует, что при уменьшении энергии кулоновского отталкивания d-электронов ионов меди g на 0,2 эВ происходит электронная перестройка ионов CuO2 плоскостей вида Cu²+, O²- -> Cu¹+, O, O²-. Причиной возникновения волны зарядовой плотности (ВЗП) является, по-видимому, наличие реакции диспропорционирования 2О-¹ -> O + O², выполнение условия Шубина—Вонсовского, незначительное различие параметров а и b элементарной ячейки, низкая степень вырождения орбиталей СиО₂-плоскости. Одновременно с образованием ВЗП происходит уменьшение величины запрещенной зоны до значения ДЕ = 0,04 эВ. Это значение ΔЕ соответствует состоянию СиО₂-плоскости с локальными парами. Малое значение щели кластера позволяет предположить, что в металлическом состоянии СиО₂-плоскости кристаллов имеют в р-подсистеме ВЗП. Таким образом, в образовании СП-состояния в ВТСП, по-видимому, имеют определенное значение электрон-электронные взаимодействия, обеспечивающие высокие Тс.