Об электронных состояниях, локализованных на межкристаллитных и двойниковых границах
Утверждается, что электрон может оказаться в состоянии, локализованном на межкристаллитной, двойниковой границе, дефекте упаковки, независимо от конкретной структуры переходной области. Существенна лишь непериодичность "в целом" кристалла, содержащего такую границу. Рассмотрена одномерная...
Збережено в:
| Дата: | 1998 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1998
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176207 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Об электронных состояниях, локализованных на межкристаллитных и двойниковых границах / Э.П. Фельдман, В.М. Юрченко // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 9. — С. 875-879. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |